描述：场效应管(MOSFET) 1W 40V 10.3A 1个P沟道 PowerDI3333-8
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商品单价
梯度内地(含税)
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2.92
100+
2.24
1000+
1.95
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)10.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)18mΩ@4.5V,8.8A
功率(Pd)1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)68.6nC
输入电容(Ciss@Vds)3.426nF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)235pF@20V
工作温度-55℃~+150℃
DMP4013LFGQ-7 产品概述
基本信息
DMP4013LFGQ-7 是一款高性能的 P 通道 MOSFET（场效应管），适用于多种电子应用。它具有出色的电流处理能力和低导通电阻，使其在需要高效率和高可靠性的电源管理、负载开关、和电动机控制等应用中表现优异。该器件的关键参数包括漏源电压（Vdss）为 40V，最大连续漏极电流（Id）达到 10.3A，确保其能够在高电压和高电流环境下稳定工作。
主要参数
漏源电压 (Vdss): 40V
- 该参数表明 DMP4013LFGQ-7 能够承受的最大电压，这使其适用于许多低至中等电压的应用场景。
连续漏极电流 (Id): 10.3A (25°C时)
- 最大的漏极电流使得此器件能够驱动较大的负载，满足许多工业及消费类电子产品的需求。
导通电阻 (Rds(on)): 13 mΩ @ 10A, 10V
- 低导通电阻确保在工作时能效的最大化，减少能耗和发热，提高系统的总体效率。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 3V @ 250uA
- 栅极电压的阈值相对较低，增强了对低电压信号驱动的响应能力。
栅极电荷 (Qg): 68.6nC @ 10V
- 该参数指示驱动电路的需求，较低的栅极电荷意味着可以实现更快的开关速率，适合高频应用。
输入电容 (Ciss): 3426pF @ 20V
- 输入电容参数有助于评估在切换过程中可能影响的速度和信号的完整性。
应用领域
DMP4013LFGQ-7 适用于各种电子和电力系统中，其中包括但不限于：
- 电源管理：可广泛应用于 DC-DC 转换器、线性稳压器中，帮助实现高效供电。
- 开关电源：在高效率电源的开关应用中表现出色，适合用于圆形和方形焊接电源模块。
- 电动机控制：适合用于驱动直流电动机以及伺服电机等多种电动机控制场合。
- 负载开关：能够有效控制负载的开启与关闭，提高系统的整体鲁棒性。
性能优势
- 高温特性: 器件支持的工作温度范围广泛，-55°C至150°C，使其能够在恶劣环境中可靠运行。
- 节能与环保: 低功耗特性减少了热量产生，在散热管理上降低了系统的复杂性，同时也支持绿色环保的设计理念。
- 表面贴装技术: 采用 PowerDI3333-8 封装，兼容现代电路设计，便于集成和小型化设计，实现节省空间的设计理念。
结论
DMP4013LFGQ-7 的优良性能与广泛的适用性使其成为电子设计中的重要一员，适合工程师在电源管理和开关应用中使用。结合其高效能与低导通电阻的特点，DMP4013LFGQ-7 为现代电子产品的性能提升和能效优化提供了强有力的支持，是各种电子项目中不可或缺的选择。