型号:

DMP1046UFDB-7

品牌:DIODES(美台)
封装:U-DFN2020-6
批次:2年内
包装:编带
重量:0.015g
其他:
DMP1046UFDB-7 产品实物图片
DMP1046UFDB-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 12V 3.8A 2个P沟道 U-DFN2020-6D
库存数量
库存:
9922
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.591
3000+
0.55
产品参数
属性参数值
类型2个P沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)3.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)115mΩ@1.8V,1.0A
功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)10.7nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)915pF@6V
反向传输电容(Crss@Vds)183pF@6V
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:DMP1046UFDB-7

一、基本信息

DMP1046UFDB-7 是由 DIODES(美台)出品的一款双 P 沟道场效应管(MOSFET),广泛应用于各类电源管理和开关电路中。这款 MOSFET 具有出色的性能,特别适合于需要高效率和低功耗的设计。在最新的电子设备中,对电能的节约与管理变得越来越重要,因此选择合适的 MOSFET 将显著影响整体性能和能耗。

二、关键参数

  1. 漏源电压(Vdss): 该器件的漏源电压可达 12V,适用于多种低压电源应用场景。
  2. 连续漏极电流(Id): 在环境温度为 25°C 的情况下,其连续漏极电流可达 3.8A,这意味着其在承载负载时具有较强的能力,能够支持多种负载工作。
  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 该值在 1V @ 250µA,意味着在很低的栅源电压下,这个 MOSFET 就能导通,适合用于低门槛电压的应用。
  4. 漏源导通电阻(Rds(on)): 这项指标为 61mΩ @ 3.6A 和 4.5V,较低的导通电阻有助于减少能量损失以及发热,从而提高整体效率。
  5. 最大功率耗散: 器件在 25°C 时的最大功率耗散为 1.4W,确保其在高负载条件下的安全使用。
  6. 工作温度范围: 其工作温度覆盖 -55°C 至 150°C,适应于严苛环境下的应用。

三、封装与安装

DMP1046UFDB-7 采用 U-DFN2020-6 表面贴装型封装,具有 6 个引脚,易于批量生产及自动化组装。该封装设计有效减小了器件的占用空间,满足对空间要求苛刻的小型电子设备的需求,同时裸露焊盘设计也有助于提升热导性能。

四、应用场景

DMP1046UFDB-7 作为一种高性能的 MOSFET,应用场景极为广泛,常见的应用包括:

  • DC-DC 转换器: 该器件能够在开关电源中高效工作,提高转换效率,降低热损耗。
  • 电池管理系统: 在电池充放电过程中的电流控制和保护中发挥关键作用,确保电池的安全与性能。
  • 智能家居设备: 与各类传感器和控制电路结合,助力智能化方案的开发。
  • 电机驱动: 在小功率电机驱动电路中,搭配其他电路元件实现高效控制。

五、总结

凭借其低导通电阻、较宽的工作温度范围及优良的功率处理能力,DMP1046UFDB-7 是一款非常热适应能力强、性能可靠的双 P 沟道 MOSFET。适合各种需要低开关损耗和高效率的应用场合,包括但不限于电源管理、变换器设计、以及电池和电机控制等方面。无论是在消费电子还是工业设备中,DMP1046UFDB-7 都能够提供稳定、可靠的性能,帮助工程师实现更高效的设计解决方案。