型号:

DMN6066SSD-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SO-8
批次:23+
包装:编带
重量:0.388g
其他:
DMN6066SSD-13 产品实物图片
DMN6066SSD-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.8W 60V 3.3A 2个N沟道 SOIC-8
库存数量
库存:
4795
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.77
100+
1.37
1250+
1.19
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)4.4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)66mΩ@10V,4.5A
功率(Pd)1.8W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)10.3nC
输入电容(Ciss@Vds)502pF@30V
反向传输电容(Crss@Vds)27.1pF@30V
工作温度-55℃~+150℃

DMN6066SSD-13 产品概述

DMN6066SSD-13是一款高性能的双N沟道场效应管(MOSFET),专为各种电子应用而设计,具备优异的电气特性和可靠性。该产品由美台(DIODES)公司出品,广泛应用于功率管理、电源转换、开关电源、LED驱动以及各种需要高频开关的场合。

关键参数

  1. 电压和电流规格

    • 漏源电压(Vdss):60V,这使得该器件能够在较高电压环境下稳定工作,适用于多种高压应用。
    • 连续漏极电流(Id):3.3A(在25°C时),可以满足中等功率电路的电流要求。
  2. 导通电阻和功率耗散

    • 漏源导通电阻(Rds(on)):在4.5A和10V栅极电压下,导通电阻为66mΩ。这低导通电阻的特性使得该MOSFET在导通时能够有效降低导通损耗,提高整体性能。
    • 最大功率耗散:1.8W,在25°C的环境下,这一参数确保了在高功率应用时的可靠性和稳定性,而不至于因发热过重而导致器件损坏。
  3. 工作温度和封装

    • 工作温度范围:-55°C ~ 150°C,该宽广的工作温度范围使得DMN6066SSD-13适用于各种极端环境。
    • 安装类型:该器件为表面贴装型(SMD),封装为SO-8(8-SOIC),其紧凑的尺寸便于在面积受限的电路板上高效布局,适合自动化焊接。
  4. 栅极特性

    • 栅源极阈值电压(Vgs(th)):在250µA时为3V,表明该器件在较低的栅源电压下即可实现导通,适合逻辑电平控制。
    • 栅极电荷(Qg):在10V时为10.3nC,这一参数影响开关速度及驱动电流的需求,对于高频应用尤为关键。
  5. 电容特性

    • 输入电容(Ciss):在30V时最大值为502pF,实用于提高开关效率和频率响应。

应用领域

DMN6066SSD-13适用于广泛的应用领域,具体包括:

  • 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC适配器,以其高导电性和低功耗特性,能有效提高电源转换的效率。
  • 电动机控制:在电动机驱动中作为开关元件,快速响应和低导通电阻有利于提升电机的效率和可靠性。
  • LED驱动电路:适合驱动多个LED串或并联的灯具,保证灯具的光效与使用寿命。
  • 逻辑电平开关电路:因其逻辑电平阈值特性,可直接由微控制器或逻辑电路驱动。

综合评价

总的来看,DMN6066SSD-13是一款性价比高、性能优越的双N沟道MOSFET,凭借其高漏源电压、低导通电阻和较大的工作温度范围,广泛适用于各类电子产品设计中。无论是在功率管理、电动机控制还是LED驱动等领域,DMN6066SSD-13都能够提供可靠的性能和卓越的效率,是设计师和工程师的理想选择。