型号:

DMN3029LFG-13

品牌:DIODES(美台)
封装:PowerDI3333-8
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
DMN3029LFG-13 产品实物图片
DMN3029LFG-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1W 30V 5.3A 1个N沟道 PowerDI-3333-8
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.04
200+
0.798
1500+
0.694
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)26.5mΩ@4.5V,7.5A
功率(Pd)2.07W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)11.3nC
输入电容(Ciss@Vds)580pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)70pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

DMN3029LFG-13 产品概述

DMN3029LFG-13 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,设计用于各种电子应用,尤其在功率管理和开关应用中表现出色。这款场效应管由知名品牌 DIODES(美台)制造,具备优良的导通性能和低导通电阻,适合高电流和高电压的工作环境。

1. 基本参数

  • 电流额定值: 5.3A
  • 最大漏源电压: 30V
  • 功耗: 1W
  • 封装类型: PowerDI-3333-8
  • 阈值电压: 适合逻辑电平驱动,保证在较低的门极电压下即可导通。

DMN3029LFG-13 的设计使其能够在较高的电压和电流条件下稳定工作,能够有效降低能量损失,提高电源的整体效率。这使得它在许多现代电子设备中扮演着关键角色,无论是用于电源转换、马达驱动,还是作为电子开关,都能提供可靠的性能。

2. 封装特性

采用 PowerDI-3333-8 封装的 DMN3029LFG-13 为其提供了良好的热管理性能。这种封装技术有助于减小元器件的体积,同时优化散热,使得器件可以在较高的功率密度下运行。封装设计也考虑到了焊接性能,保证了在PCB上的稳定性和耐用性。

3. 性能优势

  1. 低导通电阻: DMN3029LFG-13 的低 R_DS(on) 特性,意味着在导通状态下损耗较小,从而在电流通过时产生的热量也相对较低,提升了系统稳定性。

  2. 快速开关特性: 由于具有优良的开关特性,DMN3029LFG-13 能够在高频操作条件下,快速切换,适用于许多对转换速度要求较高的应用。

  3. 高热导性: 由于其封装设计,DMN3029LFG-13 可以高效地排出热量,较高的热导性有助于防止器件过热,延长使用寿命。

  4. 耐压性能: DMN3029LFG-13 的额定电压为 30V,使其能够适用于多种电源应用,包括电池供电的设备和充电系统。

4. 应用领域

DMN3029LFG-13 由于其可靠性和高效能,被广泛应用于:

  • DC-DC 转换器: 在开关电源设计中,MOSFET 是关键的功率开关元件,DMN3029LFG-13 是极为理想的选择,能够在高效转换过程中,显著降低能量损耗。

  • 电动马达驱动: 适用于直流电机和步进电机控制,尤其在需要高频率控制时,良好的开关特性保证了电机的准确驱动。

  • LED 驱动: 因为它的持续电流能力和快速响应,这款 MOSFET 适用于 LED 照明和其他照明控制应用,能够有效调节亮度和输出功率。

  • 电池管理系统: 适合用于电池充电与放电管理的场合,凭借其耐压能力和高效率提供了安全且稳定的解决方案。

5. 结论

总体而言,DMN3029LFG-13 N 沟道 MOSFET 是一款性能卓越的功率器件,结合了高电流处理能力和低导通电阻,广泛适用于现代电子设计。其稳定性、高效性及良好的热管理能力,使其成为各类功率转换与控制应用的理想选择。在设计和选择电源管理解决方案时,DMN3029LFG-13 绝对值得关注。