描述：场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4A 1个N沟道 SOT-23
库存数量
库存：
16921
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.258
3000+
0.228
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)85mΩ@2.5V,2A
功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)11.7nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)464pF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)43.8pF@15V
工作温度-55℃~+150℃
DMG3402L-7 产品概述
产品简介
DMG3402L-7 是一种高性能的N沟道MOSFET，专为电子电路中需要低导通电阻和较高漏极电流的应用而设计。其额定漏源电压为30V，能够承受多种负载条件下的工作。该MOSFET的漏极电流在25°C的条件下可达到4A，具备出色的热稳定性和功率管理能力，非常适合在高效能开关电源、DC-DC转化器，以及马达驱动等应用中使用。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 连续漏极电流（Id）: 4A（在25°C条件下）
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 1.4V @ 250µA，确保在较低的驱动电压下开关特性优良
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 52mΩ @ 4A, 10V，该低电阻特性使得能量损耗降至最低
- 最大功率耗散: 1.4W（在Ta=25°C条件下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，适合各种苛刻的环境使用
- 封装类型: SOT-23，表面贴装型设计，使得PCB空间使用率更高
性能特点
高效能: DMG3402L-7 的导通电阻在导电状态下极低，这意味着在电流通过时产生的热量很少，有助于提高电路效率并减少散热需求。
广泛的电压和电流对比: 其30V的漏源电压和4A的连续漏极电流能够满足大部分中等负载应用，为电路设计提供了灵活性。
快速开关能力: MOSFET的输入电容（Ciss）最大值为464pF @ 15V，确保了良好的开关性能，可以在高频操作中保持稳定性。
耐环境性: 工作温度范围广，使得此器件可以在多种环境条件下工作，包括高温和低温场景，尤其适用于汽车和工业设备。
高密度封装: 采用SOT-23封装形式，能够满足现代电子设备对体积和重量的严格要求，便于高密度电路设计。
应用场景
DMG3402L-7 MOSFET广泛应用于以下领域：
- 开关电源: 作为功率开关控制元件，提供稳定的电源管理。
- DC-DC转换器: 用于提升和降压应用中，优化能量转换效率。
- 马达控制: 作为驱动功率组件，提升驱动电机的效率和控制精度。
- LED照明: 在LED驱动电路中保持高效率，提供稳定的电流输出。
- 便携式设备: 适合使用在需小型化且高效能的便携式电子设备中。
结论
总的来说，DMG3402L-7是一个均衡性能与可靠性的N沟道MOSFET，凭借其小巧的SOT-23封装及卓越的电气性能，能够满足现代电子电路设计的需求。它的低导通电阻、高温环境适应性及较宽的电压与电流范围，使其在高效能开关应用和高要求的电源管理场合中展现出巨大的潜力。因此，对于希望在其设计中实现功率优化和高效能的开发人员和工程师来说，DMG3402L-7将是一个极具吸引力的解决方案。