描述：表面贴装型-N-通道-40V-120A（Tc）-324W（Tc）-D2PAK
库存数量
库存：
0
（起订量: 1, 增量: 1）
最小包：800
商品单价
梯度内地(含税)
1+
15.65
800+
15.22
产品参数
属性参数值
FET配置（电路类型）N沟道
漏极电流（Id, 连续）120A（Tc）
阈值电压Vgs(th)4V@1mA
封装/外壳TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）40V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.6 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）118nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）9700pF @ 25V
功率耗散（最大值）324W（Tc）
工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装D2PAK
产品概述：BUK761R7-40E,118
一、基本信息
BUK761R7-40E,118是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），专为高电流和高功率应用设计，能够在极端工作条件下稳定运行。其主要适用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动、工业自动化和其他需要高效率、高可靠性和小体积的电子设备中。
二、重要参数
FET配置与类型：
- N沟道
- 技术：MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）
电流与电压：
- 漏极电流（Id）：120A（Tc），在许多应用中，能够处理大电流负载而不发生过热。
- 漏源电压（Vdss）：40V，适合中高压电源和负载应用。
阈值电压与导通电阻：
- 阈值电压 Vgs(th)：4V @ 1mA，表明在较低门极电压下即能迅速激活。
- 导通电阻 Rds(on)：在10V时，最大达1.6毫欧@25A，确保在高电流时的低能量损耗，提高电路效率。
驱动电压：
- 设计的驱动电压为10V，以确保最佳的Rds(on)性能。
功率耗散能力：
- 最大功率耗散可达324W（Tc），适合高功率应用，能在极端条件下可靠工作。
三、工作环境
BUK761R7-40E,118具有非常宽广的工作温度范围，从-55°C到175°C，以及出色的热管理性能，适合各种环境下的应用，尤其在需要高度稳定和可靠的工业环境中表现出色。
四、封装与安装
此MOSFET采用D²Pak（TO-263、TO-263AB封装），确保其表面贴装型设计适应现代电子设备的紧凑布局，具有较好的散热性，方便在PCB上进行自动化焊接。
五、电气特性
- 栅极电荷（Qg）：最大118nC @ 10V，表明其在开关过程中的驱动要求相对较低，有助于减小控制电路的能耗。
- 输入电容（Ciss）：最大9700pF @ 25V，对高频应用特别有利，确保快速响应，降低开关时延。
六、应用领域
BUK761R7-40E,118的设计使其适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源转换器
- 电机控制驱动
- LED驱动电源
- 力能管理系统
- 逆变器和升降压转换器
七、总结
BUK761R7-40E,118是一款卓越的N沟道MOSFET，凭借其卓越的电流承载能力、低导通电阻、宽工作温度范围等特性， 在高性能电源控制和电机驱动领域中具有极为重要的地位。凭借Nexperia的卓越制造工艺和技术支持，其在高效率、高功率应用中展现出无与伦比的性能优势，是工程师们在设计现代电子系统时的理想选择。