描述：场效应管(MOSFET) 500mW 20V 1.4A 1个N沟道 SOT-323-3
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产品参数
属性参数值
漏源电压（Vdss）20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）1.4A
栅源极阈值电压750mV @ 3.7uA
漏源导通电阻160mΩ @ 1.4A,2.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）500mW
类型N沟道
FET 类型N 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，2.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）160 毫欧 @ 1.4A，2.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）0.75V @ 3.7µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）.6nC @ 2.5V
Vgs（最大值）±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）180pF @ 10V
功率耗散（最大值）500mW（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-SOT323-3
封装/外壳SC-70，SOT-323
产品概述：BSS816NWH6327XTSA1
一、产品简介 BSS816NWH6327XTSA1是一款高性能的N沟道MOSFET，由著名半导体公司Infineon（英飞凌）生产，广泛应用于电子电路中，尤其是在需要高效电源管理和开关控制的场景下。该器件以其卓越的性能特征、紧凑的封装和良好的热管理能力，成为设计工程师的理想选择。
二、主要参数 BSS816NWH6327XTSA1具有以下关键技术参数：
- 漏源电压（Vdss）：20V，能够有效承受较高的电压压力，适合多种应用环境。
- 连续漏极电流（Id）：1.4A（在25°C环境下），为负载提供可靠的电流传输。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：750mV @ 3.7μA，确保MOSFET在低电压下也能正常工作，适合低电平信号控制。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：160mΩ @ 1.4A, 2.5V，这一低导通电阻特性在开关过程中可显著减小功耗并提高效率。
- 最大功率耗散（Pd）：500mW @ Ta=25°C，确保在各种条件下长期工作而不会过热。
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C，保证其在极端恶劣的环境下工作稳定。
三、封装与安装 BSS816NWH6327XTSA1采用SC-70/SOT-323封装，表面贴装设计（SMD），不仅可节省电路板空间，还简化了自动化焊接工艺。这种小型化的封装适合便携式和移动设备，如智能手机、平板电脑等。
四、典型应用 BSS816NWH6327XTSA1的特性使其在多个领域都有广泛的应用，包括：
- 开关电源：由于其高效的导通特性，适合用于DC-DC转换器。
- 电机驱动：作为电机控制电路中的开关元件，能有效调节电机速度。
- 逻辑级开关：在数字电路中可用于信号的开关控制。
- 负载开关：在家电和工业设备中作为负载开关使用。
- 电池管理系统：由于其低导通电阻特性，适合用于电池的充电和放电控制。
五、设计考虑 在设计使用BSS816NWH6327XTSA1时，工程师需要关注其最大功率耗散及环境散热条件，以避免过热损坏。此外，由于Vgs最大值为±8V，栅极电压的管理至关重要，设计时需要确保Vgs的范围不超过该参数，以避免损坏MOSFET。
六、结论 BSS816NWH6327XTSA1是一款性能优异的N沟道MOSFET，凭借其高可靠性、出色的电气特性和小型封装，成为现代电子设计和功率管理领域的重要选择。无论是用于普通家电，还是在高端智能设备中，BSS816NWH6327XTSA1都能为设计提供极大的灵活性和效率，是各种工程项目中的理想组成部分。选择BSS816NWH6327XTSA1，将使您的设计更具竞争力和市场适应能力。