BSH103,215

BSH103,215 产品概述

一、产品简介

BSH103,215 是一款高效能的 N 沟道 MOSFET，专为低电压和中等功率应用而设计。该产品不仅提供出色的电流处理能力（850mA）和额定漏源电压（30V），更兼具较低的导通电阻（500mΩ @ 500mA，2.5V）与优良的开关特性，使其成为多种电子电路中的理想选择。该元件采用 TO-236AB 封装，具有良好的热性能和空间适应性，适合表面贴装（SMD）应用。

二、主要参数

1. 漏源电压（Vds）: 最大值 30V，适用于低压电源管理电路。
2. 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境下，额定为 850mA（温度升高至 80°C 时依然保持稳定），适合驱动小型电机和负载。
3. 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 最小为 400mV @ 1mA，确保在低电压下可以正常进入导通状态。
4. 导通电阻（Rds(on)）: 500mΩ @ 500mA，2.5V，表现出优异的导通性能，确保系统高效运行。
5. Qg（栅极电荷）: 最高 2.1nC @ 4.5V，降低了驱动电路所需的功耗，提高了 switching 效率。
6. 功率耗散: 在环境温度 25°C 下最大可达 540mW，为设备提供了稳定的功率操作。
7. 工作温度范围: -55°C 至 150°C，适应各种严苛环境。
8. 封装: TO-236AB，体积小巧，适合现代电子产品的紧凑设计。

三、应用领域

BSH103,215 MOSFET 设计制造适用于如下应用场景：

1. 电源管理: 可用作电源开关、DC-DC 转换器和射频应用中，提高能源利用效率。
2. 信号开关: 在信号传输电路中，可有效切换信号路径，保证信号质量。
3. 负载驱动: 适用于各种低压电机、继电器和灯泡驱动，提供可靠的开关控制。
4. 消费电子产品: 适合音响设备、家电和便携式设备，助力紧凑设计与节能目标的实现。

四、产品优势

1. 高效率: BSH103,215 具有较低的 Rds(on)，可最大限度地降低导通损耗，提高系统整体性能。
2. 高温稳定性: 宽广的工作温度范围使其能够在各种环境条件下稳定工作，确保系统运行的可靠性。
3. 兼容性强: 采用业界标准封装，易于集成到现有设计中，并且适合自动化生产线的高效装配。
4. 高可靠性: Nexperia 作为全球知名的半导体制造商，BSH103,215 继承了其产品一贯的高品质和高可靠性。

五、总结

总的来说，BSH103,215 N 沟道 MOSFET 是一款设计精良、安全可靠的电子元件，适合多种低功率和中等功率应用，在电源管理、信号开关以及负载驱动的多种场合都能发挥重要作用。凭借其高效率、高温稳定性以及良好的兼容性，这款 MOSFET 将会是设计师和工程师们在开发现代电子产品时的优秀选择。