型号:

BSC027N04LSG

品牌:Infineon(英飞凌)
封装:TDSON-8
批次:21+
包装:编带
重量:-
其他:
BSC027N04LSG 产品实物图片
BSC027N04LSG 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) BSC027N04LSG QFN
库存数量
库存:
508
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:5000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
2.66
100+
2.12
1250+
1.9
2500+
1.79
5000+
1.7
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.7mΩ@10V,50A
功率(Pd)83W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@49uA
栅极电荷(Qg@Vgs)85nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)6.8nF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)59pF@20V
工作温度-55℃~+150℃

BSC027N04LSG 产品概述

简介

BSC027N04LSG 是由英飞凌(Infineon)生产的一款高效场效应管(MOSFET),封装采用TDSON-8(QFN)形式。这款 MOSFET 主要用于开关电源、直流电机驱动和电池管理等应用,具有低导通电阻和优越的热性能,能够满足高频、高效能的电子设计需求。

主要特性

  1. 高导电性能:BSC027N04LSG 拥有低导通电阻(RDS(on)),通常在 0.027Ω 左右,这使其在高电流应用中能够有效减少功耗和发热。

  2. 快速开关速度:该 MOSFET 具备高开关速度特点,这使得其在开关频率较高的应用场景下,能够显著提高整体效率,减少开关损耗。

  3. 宽工作电压范围:BSC027N04LSG 支持宽工作电压范围,最大漏源电压(VDS)可达 40V,适合多种高压应用。

  4. 小型化封装:TDSON-8 封装的设计,相比传统封装形式更小、更轻,能够帮助设计工程师在空间受限的设计中实现高性能的电路布局。

  5. 优良的热管理:BSC027N04LSG 采用高导热材料,封装设计确保散热效果佳,使得其能够在高负载条件下保持稳定工作。其较高的热导率使设备能够承受较大的热量而不发生性能衰减。

应用领域

BSC027N04LSG 的特性使其适用于多个领域的应用,主要包括但不限于:

  1. 开关电源(SMPS):在开关电源设计中,BSC027N04LSG 可以承担主开关或同步整流的功能,优化功率转换效率。

  2. 电机驱动:余电动机控制中,使用该 MOSFET 可以实现低损耗的高效驱动,尤其是无刷直流电机(BLDC)及步进电机的控制。

  3. 电池管理系统(BMS):BSC027N04LSG 在电池充放电和保护电路中,能够提供高可靠性和高效能,尤其是在电动车辆及储能系统中应用。

  4. LED 驱动:在 LED 照明和驱动电路中,该 MOSFET 能够高效控制电流,提升系统整体效率。

  5. 消费电子:在如电脑、手机电源管理和各类消费电子产品中,BSC027N04LSG 能够提供优越的性能满足小型化和高效率的需求。

结论

综合来看,BSC027N04LSG 是一款极具竞争力的MOSFET器件,提供了卓越的电气特性和热性能,适合广泛的电子应用。凭借其小型化设计、低功耗、高效开关特性,英飞凌的这一产品不仅能够满足当前市场对高效率、高密度解决方案日益增长的需求,还能在多种复杂应用中确保可靠性和稳定性。

在选择 MOSFET 元器件时,工程师需根据具体应用场景的需求,仔细评估参数配置与性能指标,而 BSC027N04LSG 凭借其优良的性能特征,成为许多设计方案的理想选择。