型号:

DDTC114YCA-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:2年内
包装:编带
重量:0.043g
其他:
DDTC114YCA-7-F 产品实物图片
DDTC114YCA-7-F 一小时发货
描述:数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-23
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.112
3000+
0.089
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)100mA
功率(Pd)200mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)68@5mA,5V

产品概述:DDTC114YCA-7-F 数字晶体管

一、产品简介

DDTC114YCA-7-F 是由DIODES(美台)公司推出的一款高性能数字晶体管,采用NPN结构,具有优良的电气特性和广泛的应用前景。该器件为预偏压型晶体管,专为低电流和低功率应用设计,具有高增益和快速开关特性,适合用于高频率的模拟和数字电路中。封装类型为SOT-23,适合表面贴装,便于自动化生产和空间优化设计。

二、关键参数

  1. 额定功率:DDTC114YCA-7-F 的最大功率为200mW,适合在低功率环境中使用,能够有效减少能耗并提高电路的整体效率。
  2. 集电极电流(Ic):该晶体管的集电极电流最大值为100mA,保证了在多数应用场景下的稳定工作。其基极电阻(R1)为10 kΩ,发射极电阻(R2)为47 kΩ,组合使用能够有效控制电流放大。
  3. 集射极击穿电压(Vce):其最大集射极击穿电压为50V,使得该器件能够在较高电压条件下安全运行,适应多种电源环境。
  4. 频率响应:频率跃迁高达250MHz,适合用于高速信号处理与放大,能够满足现代数字电路对高频率的需求。
  5. 电流增益(hFE):在Ic=5mA和Vce=5V的条件下,该晶体管的电流增益(hFE)最小值为68,能够实现高效的信号放大。
  6. 饱和压降:在250µA的基极电流和5mA的集电极电流条件下,Vce饱和压降最大值为300mV,能够保证开关操作时的低损耗,有效提高电路效率。

三、应用场景

DDTC114YCA-7-F广泛应用于各种电子设备,主要可用于以下场景:

  • 开关电路:由于其良好的开关特性,该晶体管可用作温度、光电和压力传感器的开关元件,控制外部负载。
  • 放大电路:凭借其高增益和频率特性,DDTC114YCA-7-F非常适合用于信号放大器,例如在音频设备和射频放大器中。
  • 数字电路:由于其独特的预偏置特性,可以用作逻辑门或数字电路的基础元件,支持更复杂的数字处理。
  • 低功耗设备:200mW的额定功率使其非常适合于便携式和无线设备,以延长电池寿命。

四、封装与电路设计

DDTC114YCA-7-F采用SOT-23封装,相较于传统封装,具有更小的尺寸和重量,适合现代电子设备对电路小型化的要求。该封装也使得设计师能够实现更高的组件密度,进一步优化PCB布局。

五、总结

总的来说,DDTC114YCA-7-F是一款性能优越的NPN数字晶体管,以其高增益、低功耗和优良的频率响应,成为现代电子设计中不可或缺的重要元件。无论是在家用电器、配件还是工业控制中,都展现出强大的适应性与灵活性。借助于其表面贴装封装及稳定的电气特性,DDTC114YCA-7-F为电子工程师提供了可靠的解决方案,支持各种创新和高效的电路设计。