描述：表面贴装型-N-通道-60V-230mA（Ta）-360mW（Ta）-SOT-23-3
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产品参数
属性参数值
安装类型表面贴装型
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）3.5 欧姆 @ 230mA，10V
技术MOSFET（金属氧化物）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)230mA（Ta）
FET 类型N 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）41pF @ 25V
Vgs（最大值）±20V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）1.4nC @ 10V
漏源电压（Vdss）60V
功率耗散（最大值）360mW（Ta）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.4V @ 26µA
产品概述：BSS138NH6327XTSA2
1. 产品简介
BSS138NH6327XTSA2 是由英飞凌（Infineon）公司生产的一款高性能 N 通道 MOSFET，采用SOT-23-3封装形式，专为在各种低功耗和中等功率应用中提供高效的开关性能而设计。这款 MOSFET 的最大漏源电压为 60V，连续漏电流可达 230mA，同时具备优良的热管理能力，功耗为 360mW，使其适用于广泛的电子设备和电源管理应用。
2. 主要特点
- 安装类型：此部件采用表面贴装（SMD）方式，适合自动化贴装，提高生产效率。
- 导通电阻：在 10V 驱动下，最大导通电阻为 3.5Ω @ 230mA，确保较低的能量损失和热量产生。
- 驱动电压：支持的门极电压为 4.5V 到 10V，具有良好的适应性，可以与多种控制逻辑电平兼容。
- 输入电容：在 25V 下，输入电容（Ciss）最大值为 41pF，确保快速开关响应并降低开关损耗。
- 栅极电荷：最大栅极电荷为 1.4nC @ 10V，说明该部件能够在较低的驱动电流下以较快的速度完成开关。
- 工作温度范围：适用于-55°C ~ 150°C 的宽温度范围，为其提供了在恶劣环境下稳定工作的保障。
3. 应用领域
BSS138NH6327XTSA2 主要应用于以下领域：
- 电源管理：在DC-DC转换器、线性调节器中用作开关元件，以优化能效。
- 负载开关：可用于控制低电压和低电流应用中的负载，提供高效的电源切换。
- 信号开关：在模拟和数字电路中用作信号开关，确保信号完整性和低损耗。
- 汽车电子：适合用于汽车照明、传感器和电机驱动等方面。
4. 性能参数
根据规格，BSS138NH6327XTSA2 具有如下性能：
- 临界电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为 1.4V（@26µA），确保在低电压下可靠导通。
- 最大漏源电压（Vdss）：60V 的最大漏源电压适合于多种电压应用，使其在实际应用中拥有良好的灵活性。
- 功率耗散：在常规环境条件下，最大功率耗散为 360mW，保证了在较高负载下的可靠性和稳定性。
5. 结构与封装
BSS138NH6327XTSA2 采用PG-SOT23-3封装，体积小巧，适合现代电子产品对空间的严格要求。该封装设计确保良好的散热性能，使其在高功率输出下依然能够维持正常工作温度。
6. 结论
BSS138NH6327XTSA2 是一款兼具高性能、低功耗和宽广应用领域的 N 通道 MOSFET，具有多个优良特性如低导通电阻、高驱动电压和优秀的热性能，极大满足了现代电子设备对元器件的多样化需求。无论是用于电源管理、信号处理还是汽车电子，该 MOSFET 都能提供可靠的解决方案，是设计工程师们值得信赖的选择。