描述：表面贴装型-P-通道-60V-1.9A（Ta）-1.8W（Ta）-PG-SOT223-4
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50+
1.71
产品参数
属性参数值
FET配置（电路类型）P沟道
漏源击穿电压V(BR)dss60V
漏极电流（Id, 连续）1.9A（Ta）
导通电阻 Rds（on）300毫欧
阈值电压Vgs(th)4V@250µA
最大耗散功率1.8W
封装/外壳TO-261-4，TO-261AA
FET 类型P 通道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.9A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）300 毫欧 @ 1.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）14nC @ 10V
Vgs（最大值）±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）410pF @ 25V
功率耗散（最大值）1.8W（Ta）
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型表面贴装型
供应商器件封装PG-SOT223-4
BSP170PH6327XTSA1 产品概述
1. 产品简介
BSP170PH6327XTSA1 是一款高性能的 P 型 MOSFET（绝缘栅场效应晶体管），由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）生厂。该器件专为需要高开关频率与低导通损耗的应用而设计，广泛适用于电源管理、马达控制和各种线性及开关电路的驱动。
2. 主要参数
- FET 配置: P 沟道
- 漏源击穿电压 (V(BR)dss): 60V，能够有效应对高电压工作环境。
- 连续漏极电流 (Id): 1.9A（在 Ta = 25°C 时），适合大功率应用。
- 导通电阻 (Rds(on)): 300毫欧，能有效降低能量损耗和发热。
- 阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250µA，方便设计人员在低电压控制下实现开关功能。
- 最大耗散功率: 1.8W，确保设备长期稳定工作。
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，在极端环境下仍能可靠运行。
3. 封装和安装
BSP170PH6327XTSA1 采用 SOT-223 表面贴装封装，这种封装类型不仅能有效节省空间，同时也提供了良好的散热性能，适合各种精密电子产品的组装。该元件的安装类型为表面贴装，便于在自动化生产线上使用并提高生产效率。
4. 应用领域
BSP170PH6327XTSA1 主要应用领域包括但不限于以下几个方面：
- 电源管理: 在开关电源中，能够高效地切换电流，提升能源利用效率，减少不必要的能量浪费。
- 马达控制: 可用于驱动 DC 电机，为工业自动化和机器人提供控制信号，增强系统的响应速度。
- LED 驱动: 在 LED 照明中担当重要角色，可以有效调节 LED 的亮度与功耗。
- 电池管理系统: 在移动设备和可穿戴设备中，用于高效管理电池充放电过程，延长电池使用寿命。
5. 电气特性
随着设计技术的进步，BSP170PH6327XTSA1 具备良好的电气特性。在不同漏源电压 (Vds) 和栅源电压 (Vgs) 下，其输入电容 (Ciss) 最高可达 410pF @ 25V，栅极电荷 (Qg) 最大值为 14nC @ 10V，这使得其在开关频率较高的电路中表现出色，并能够有效降低开关损耗。
6. 性能优势
与其他型号的 MOSFET 相比，BSP170PH6327XTSA1 提供了较低的导通电阻和较高的耐压能力，这使其在最大化系统性能的同时，确保了较高的可靠性。其宽广的工作温度范围不仅使其适应各类环境条件，而且增强了产品的市场适应性。
7. 总结
凭借其优越的电气特性、可靠的性能和适应广泛的应用领域，BSP170PH6327XTSA1 是一种极具竞争力的 P 型 MOSFET 选择。它不仅适合用于常规的电源管理与马达控制电路，同时也为极端应用环境提供了可靠保障，能满足高效、低损耗的现代电子产品需求。选择 BSP170PH6327XTSA1，意味着选择一种能够帮助您在设计上更具灵活性并提高系统性能的高品质元器件。