型号:

BCP69T1G

品牌:ON(安森美)
封装:SOT-223
批次:2年内
包装:编带
重量:0.202g
其他:
-
BCP69T1G 产品实物图片
BCP69T1G 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1.5W 20V 1A PNP SOT-223-4
库存数量
库存:
30379
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.931
50+
0.716
1000+
0.66
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)20V
功率(Pd)1.5W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)50@5.0mA,10V
特征频率(fT)60MHz
集电极截止电流(Icbo)10uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@1.0A,100mA
工作温度-65℃~+150℃

产品概述:BCP69T1G PNP 晶体管

概述

BCP69T1G 是一种高性能的 PNP 型双极性晶体管 (BJT),专门设计用于需要中等功率和高信号增益的应用。它由安森美半导体(ON Semiconductor)生产,具备卓越的电气性能以及宽广的工作温度范围,适合多种电子电路的设计需求。

主要参数

  • 晶体管类型: PNP
  • 最大集电极电流 (Ic): 1A
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 20V
  • 最大饱和压降 (Vce(sat)): 500mV @ 100mA,1A
  • 集电极截止电流 (ICBO): 10µA
  • 最低直流电流增益 (hFE): 85 @ 500mA,1V
  • 最大功率: 1.5W
  • 频率跃迁: 60MHz
  • 工作温度范围: -65°C 到 150°C
  • 封装类型: SOT-223
  • 安装类型: 表面贴装型

电气性能

BCP69T1G 的电流增益和低饱和压降使其能够有效放大输入信号,实现高效能的驱动。其典型的 hFE 值为 85,这表明在 500mA 的集电极电流下,BCP69T1G 仍能保持稳定的增益性能。此外,具有 可接受的饱和压降,对于那些对功率损耗敏感的应用,能够提供较好的能效比。

BCP69T1G 的最大集电极电流为 1A,意味着它可以在相对较大的负载条件下工作,而其 20V 的击穿电压则为电源设计提供了宽容许度。这使得 BCP69T1G 适用于如电源开关、功率放大器等要求高电流和高电压的应用场合。

封装与安装

BCP69T1G 采用 SOT-223 封装,适合表面贴装技术 (SMT),其小型化的封装使得它非常适合于空间受限的电子电路设计。SOT-223 封装不仅提供了良好的散热性能,还确保了产品在高功率条件下的稳定性和可靠性。

应用领域

BCP69T1G 的设计使其广泛应用于:

  • 小型功率放大器
  • 开关电源
  • 马达驱动电路
  • 音频放大器
  • 开关电路
  • 高频 RF 应用

不论是用于消费电子、工业设备还是汽车电子,BCP69T1G 都能提供可靠的性能。

工作温度与可靠性

BCP69T1G 的工作温度范围为 -65°C 到 150°C,这使得它在极为严苛的环境条件下仍然能够稳定工作。无论是在寒冷的外部环境还是高温的设备内部,BCP69T1G 都表现出色,确保应用的长期稳定性和可靠性。

结论

综上所述,BCP69T1G 是一款面向高可靠性与高效能需求的 PNP 晶体管,凭借其优越的电气性能,广泛的应用场景及先进的封装设计,成为设计师在开发高功率和高频产品时的理想选择。对于寻求高效能、低功耗和稳定性的设计方案的工程师而言,BCP69T1G 无疑是一个出色的解决方案。