型号:

BCP56TA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT223
批次:2年内
包装:编带
重量:0.207g
其他:
BCP56TA 产品实物图片
BCP56TA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 2W 80V 1A NPN SOT-223-3
库存数量
库存:
976
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.442
1000+
0.4
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)80V
功率(Pd)2W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)10@150mA,2V
特征频率(fT)150MHz
集电极截止电流(Icbo)20uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@500mA,50mA
工作温度-65℃~+150℃

产品概述:BCP56TA NPN 三极管

BCP56TA是一款高性能的NPN型三极管,设计用于各种低功率信号放大和开关应用。这款器件由DIODES(美台)制造,采用SOT-223封装,具有优良的电气特性和可靠性,适合于表面贴装技术(SMT)生产线使用。

1. 基本参数

  • 额定功率:BCP56TA的额定功率为2W,这使得它适合于低至中等功率的应用场合。
  • 集电极电流 (Ic):其最大集电极电流为1A,足以满足大多数信号处理和开关控制的需求。
  • 集射极击穿电压 (Vce):最大集射极击穿电压为80V,提供了良好的电压边界,确保在高电压环境中也能稳定运行。
  • 最大截止电流 (ICBO):在无信号状态下,集电极截止电流最大为100nA,这一低值可有效减少功耗,从而提升电路的整体效率。

2. 饱和压降和电流增益

BCP56TA在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 条件下,Vce饱和压降的最大值为500mV,这对于开关应用非常关键,因为它直接影响到开关功耗和电路效率。

此外,在Ic为150mA、Vce为2V时,其DC电流增益 (hFE) 的最小值为40,表明其在信号放大应用中的良好性能。较高的hFE使得设计工程师在放大电路时无需使用过大的基极电流,从而降低了功耗和热量。

3. 高频性能

BCP56TA拥有高达150MHz的跃迁频率,适合于高速开关应用以及高频信号放大。这种特性使得它能够在现代电子设备中,如RF放大器、电视接收器和其他高频应用中,保持高效能。

4. 工作温度范围

其工作温度范围广泛,支持从-55°C到150°C的环境温度,使其能够适应各种恶劣环境。这样的温度特性也是其在汽车电子、工业控制等领域广泛应用的重要原因。

5. 封装和应用

BCP56TA采用SOT-223封装,这种封装类型不仅能够节省 PCB 空间,而且便于自动化生产,可提高装配的效率。此外,SOT-223的优越散热特性也增强了该器件在高功率状态下的稳定性。

6. 应用场景

BCP56TA广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于:

  • 开关电源
  • 线性放大器
  • 制动和保护电路
  • 电机驱动电路
  • RF放大器
  • 汽车电子设备

7. 竞争优势

  • 高集电极电流和额定功率:能够在多种应用中表现稳定。
  • 低饱和压降和低截止电流:有助于提升电能利用效率,减少热管理的需求。
  • 高频性能:为快速和高效的信号处理提供了更多的设计灵活性。

结论

BCP56TA NPN三极管为电子设计提供了一种优质的解决方案,其卓越的电气性能、宽广的温度范围和高频响应能力,使其在现代电子产品中变得越来越重要。无论是用于消费类电子、通信设备还是工业控制,这款三极管都将为工程师带来可靠的性能保障及设计上的灵活性。