型号:

BCP55-10,115

品牌:Nexperia(安世)
封装:SOT-223
批次:24+
包装:编带
重量:0.205g
其他:
BCP55-10,115 产品实物图片
BCP55-10,115 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1.35W 60V 1A NPN SOT-223
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最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.627
50+
0.418
1000+
0.379
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)60V
功率(Pd)1.35W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)63@150mA,2V
特征频率(fT)180MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)500mV@500mA,50mA
工作温度-55℃~+150℃

BCP55-10,115 产品概述

一、产品简介

BCP55-10,115 是 Nexperia(安世)公司推出的一款高性能 NPN 晶体管,采用 SOT-223 封装。该器件专为各种电子电路设计而优化,能够在多种应用场景中表现出色,特别适合于信号放大和开关应用。凭借其优异的电气特性和可靠的性能,BCP55-10,115 成为设计师和工程师的理想选择。

二、主要参数

  1. 晶体管类型:NPN

    • 该器件采用 NPN 结构,适用于电流放大和开关操作,也能在多种信号处理电路中广泛使用。
  2. 集电极电流 (Ic):最大 1A

    • BCP55-10,115 能够承受高达 1A 的集电极电流,使其适合于高负载的应用场景。
  3. 集射极击穿电压 (Vce):最大 60V

    • 在电压高达 60V 的应用中,该器件依然能够稳定工作,是设计高电压电路的优选。
  4. 饱和压降 (Vce.sat):最大 500mV @ 50mA, 500mA

    • 低饱和压降使该晶体管在开关操作中的功耗得以降低,从而提高效能。
  5. 截止电流 (ICBO):最大 100nA

    • 极低的截止电流特性保证了在非导通状态下的高度稳定性,适合于高灵敏度的应用。
  6. DC 电流增益 (hFE):最小值 63 @ 150mA, 2V

    • 提供合理的电流增益,使得在不同工作条件下都能保持高效能。
  7. 跳跃频率:180MHz

    • 高跳跃频率使得该器件适用于高频信号处理和开关应用。
  8. 工作温度范围:最高 150°C

    • 在高温环境下仍能保持良好性能,适合各种工业和汽车应用。
  9. 功率耗散:最大 1.35W

    • 合理的功率处理能力,使其能够在高功率密度条件下稳定工作。
  10. 封装:SOT-223

    • SOT-223 封装支持表面贴装,适应现代电子设备对空间的要求,便于自动化生产。

三、应用场景

BCP55-10,115 广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  • 开关电源:适合用作开关元件,能够提高电源转换的效率。
  • 信号放大器:提供高增益,适合音频信号和射频信号处理。
  • LED 驱动器:可以用作驱动 LED 的开关体,控制 LED 的开启和关闭。
  • 线性放大器:可用于设计高保真音频放大器,提供良好的音质。

四、总结

综上所述,BCP55-10,115 NPN 晶体管凭借其优越的技术规格和良好的电气特性,成为市场上极具竞争力的元件之一。其出色的集电极电流与击穿电压参数、低功耗特性及高频响应,使其适用于多种应用场景。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子领域,BCP55-10,115 都能为设计师提供强大的支持。

在进行电路设计时, 选择 BCP55-10,115 不仅能降低设计复杂性,还能提高产品的性能和可靠性,是实现高效能电路的理想选择。随着技术不断进步,BCP55-10,115 可为电气手段的创新提供有力保障,是现代电子设备设计中不可或缺的组成部分。