描述：场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 13A 1个P沟道 SO-8
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1250+
1.51
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)13A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)11mΩ@10V,13A
功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)30.4nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)2.748nF@20V
反向传输电容(Crss@Vds)356pF
工作温度-55℃~+150℃
DMP3015LSS-13 产品概述
一、基本信息
DMP3015LSS-13是一款高效的P沟道MOSFET（场效应管），由知名电子元器件制造商DIODES（美台）出品，适用于各种需要高电流和低导通电阻的应用场景。该器件具有优秀的电气特性和可靠性，尤其适合于用于电源管理、DC-DC转换、开关电源和马达驱动等领域。
二、关键参数
- FET类型: P通道MOSFET
- 漏源电压（Vdss）: 30V
- 最大连续漏极电流（Id）: 13A（在25°C下）
- 最佳驱动电压: 4.5V和10V
- 最大导通电阻（Rds On）: 11毫欧 @ 10V和13A时
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）: 最大2V @ 250µA，适合低压驱动
- 栅极电荷: 60.4nC @ 10V，较低的栅极电荷有助于提高开关速度
- 最大栅源电压（Vgs）: ±20V，提供更大的设计灵活性
- 输入电容（Ciss）: 最大2748pF @ 20V，适合高频应用
- 功率耗散: 最大2.5W（在25°C下）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C，适合于各种严苛环境
- 安装类型: 表面贴装型（SMD）
- 封装: 8-SOIC，尺寸为0.154"（3.90mm宽），适合紧凑空间布局
三、高性能特点
低导通电阻: DMP3015LSS-13具有最大11毫欧的导通电阻，确保在高电流条件下，器件能以最低的热损耗工作，提升整体效率。
宽电压范围: 该器件具有30V的漏源电压，适合多种应用，包括汽车以及一般消费电子设备。
快速开关性能: 由于具有较低的栅极电荷和输入电容，DMP3015LSS-13能够实现较快的开关速度，这对于提升系统的整体性能和响应速度至关重要。
高温范围操作: 其工作温度范围覆盖-55°C至150°C，使其能够在极端环境下稳定工作，适合航空航天、军事及工业应用。
节省空间的封装设计: SO-8封装的设计使得该MOSFET能够在空间受限的电路板上使用，适应现代电子产品对紧凑设计的需求。
四、应用领域
DMP3015LSS-13因其卓越的性能和广泛的适用性，成为多个领域的优选元件。主要应用包括：
- 电源开关: 用于直流-直流转换器、开关电源等电源管理系统。
- 马达驱动: 为电动机控制提供强大的开关能力，尤其是在汽车和工业自动化中。
- 充电器和电池管理: 在电池充电方案中有效控制功率流动，保护电池安全。
- LED驱动: 提高LED应用的效率，实现高亮度输出。
五、总结
DMP3015LSS-13以其卓越的电气特性、出色的性能与可靠性，成为一款理想的P沟道MOSFET选择。无论是在电源管理、马达驱动还是更多其他应用中，它都提供了无与伦比的解决方案。随着各行业对能效要求的不断提高，DMP3015LSS-13将继续为新一代电子产品的设计与优化提供强大的动力。其出色的性能与种类丰富的应用场景，使得DMP3015LSS-13成为电子工程师在选择MOSFET时的首选之一。