DMN62D0U-7

DMN62D0U-7 产品概述

概述

DMN62D0U-7 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），其设计适用于多种电源管理和开关应用。采用 SOT-23 封装，具有优良的散热性能和紧凑的尺寸，使其在空间受限的应用中仍能高效工作。该器件的关键参数包括最大漏源电压（Vdss）为 60V、连续漏极电流（Id）为 380mA，以及最大功率耗散达到 380mW，适合广泛的电子产品需求。

主要特性

• 漏源电压（Vdss）: 该器件的最大漏源电压为 60V，使其适合多个中低压开关电源和驱动应用。
• 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境下，DMN62D0U-7 能够持续承载 380mA 的漏极电流，保证在设计负载下的可靠运行。
• 导通电阻（Rds On）: 该 MOSFET 在 100mA 和 4.5V 的条件下，其漏源导通电阻最大为 2Ω，确保在开关状态下能有效减少功耗。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 以 1V @ 250µA 的阈值电压特性，简化了在低电压驱动场合的设计。
• 栅极电荷（Qg）: 在 4.5V 的条件下，最大栅极电荷为 0.5nC，这意味着开关速度快，适合高速开关应用。

技术规格

• 工作温度范围: -55°C至150°C，适用于极端环境下的应用，增强了器件的可靠性和适用性。
• 封装类型: SOT-23，轻便且占用空间小，适合现代电子设备对元器件微型化的需求。
• 输入电容（Ciss）: 在 30V 条件下，输入电容的最大值为 32pF，进一步提高了开关频率的能力，适合各种高频应用。

应用领域

DMN62D0U-7 适合在消费电子、工业控制、电源管理、汽车电子和便携式设备中广泛使用。尤其在要求低功耗和高效率的应用场合，如开关电源（SMPS）、电动马达驱动电路和LED驱动等，是一种理想的选择。

结论

DMN62D0U-7 是一款性能卓越、适应性强的 N 沟道 MOSFET。凭借其优越的电气特性和可靠的工作性能，该器件为设计工程师提供了更高的灵活性和设计自由度。在选择电源管理和开关解决方案时，DMN62D0U-7 无疑是一个值得考虑的高效选择。考虑到其广泛的应用潜力和优良的性价比，DMN62D0U-7 是电气工程师在各种应用中必备的元器件之一。