描述：场效应管(MOSFET) 520mW 50V 300mA 1个N沟道 SOT-23
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梯度内地(含税)
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200+
0.253
1500+
0.22
3000+
0.195
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)50V
连续漏极电流(Id)300mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)2.5Ω@2.5V,50mA
功率(Pd)520mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)1V@50mA
栅极电荷(Qg@Vgs)600pC
输入电容(Ciss@Vds)37.1pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)4pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
DMN53D0U-7 产品概述
一、基本信息
DMN53D0U-7 是一款高性能的 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为各种低功耗及中等功率应用而设计。该元件采用表面贴装（SMD）封装类型，如 SOT-23，方便在现代电子设备中实现高密度集成。
二、关键参数
电气特性
- 最大漏极电流 (Id): 300mA（在 25°C 环境下）
- 漏源电压 (Vds): 50V，适合多种电源管理应用
- 栅极源电压 (Vgs): 最大值为 ±12V，提供了一定的设计灵活性
- 导通电阻 (Rds(on)): 最大值为 2 欧姆 @ 50mA，5V 时，能够有效降低在导通状态下的功率损耗
- 阈值电压 (Vgs(th)): 最大值为 1V @ 250µA，这给出了 MOSFET 在最低电源电压下仍能够稳定工作的能力
电容特性
- 输入电容 (Ciss): 最大值为 37.1pF @ 25V，有利于高频开关应用
- 栅极电荷 (Qg): 最大值为 6nC @ 4.5V，有助于降低驱动电流需求，提升开关效率
功率处理能力
- 功率耗散 (最大值): 520mW（在 25°C 环境下），适用于中等功率应用
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ），使其在严苛环境条件下仍保持可靠性能
三、应用领域
DMN53D0U-7 广泛应用于以下领域：
- 电源管理: 作为开关元件调用于降压、升压转换器中，有助于提升效率与性能
- 信号开关: 由于其较低的导通电阻与高频响应能力，适用于音频信号、数据信号的开关
- 负载开关: 可用于电池供电设备中的负载控制，确保在不同负载下稳健运行
- LED 驱动电路: 在 LED 照明、显示器背光等应用中作为驱动元件，帮助实现高亮度与长寿命
四、产品优势
高效能: 由于低 Rds(on) 和高电压规格，DMN53D0U-7 能够有效地在较低的电损耗下运行，进而提升整体系统的能效。
设计灵活: 适用于多种栅极驱动电压，能够与不同类型的控制电路兼容，便利设计集成。
广泛的工作温度: 提供高度的稳定性及可靠性，使其在各种工作环境下均能保持性能。
小型化设计: SOT-23 封装可以在有限的电路板空间中提供强大的功能，适应现代超薄电子产品的需求。
五、总结
DMN53D0U-7 的高性能特性使其能够在多种电子应用中发挥作用，提供稳定可靠的表现。凭借其节能、耐高温及高效驱动能力，DMN53D0U-7 是工程师们在设计电源管理、信号开关等相关电路时的理想选择。其定制化的电气参数和小巧封装使其在现代电子产品开发中具有显著的市场竞争力。选择 DMN53D0U-7，不仅可以简化设计流程，还能确保产品在诸多应用场景中的出色性能。