DMN4468LSS-13

DMN4468LSS-13 产品概述

1. 概述

DMN4468LSS-13是一款高性能N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），其在宽广的工作温度范围内提供卓越的性能，特别适合各种电源管理和开关应用。该器件由DIODES（美台）公司生产，其优越的电气性能与良好的封装设计，使其成为现代电子产品不可或缺的基础元器件之一。

2. 主要参数

DMN4468LSS-13的关键技术参数包括：

• 封装类型: SO-8（规格为0.154"宽，3.90mm），适合表面贴装（SMT）技术，方便与各种电路板配置兼容。
• 漏源极电压（Vdss）: 30V，能够支持多种低至中压应用，适合开关变换器和低压电路设计。
• 持续漏极电流（Id）: 10A（在25°C环境温度下），提供充足的电流处理能力，适合高负载条件下的使用。
• 导通电阻（Rds(on）: 最大值为14毫欧（在工作条件下11.6A和10V），有效降低导通损耗，提高设备效率。
• 栅极驱动电压: 支持4.5V到10V的驱动电压范围，能够适配多种驱动电路设计。
• 功率耗散: 最大功耗为1.52W，保证器件在高功率条件下的稳定性与安全性。
• 工作温度范围: -55°C至150°C，适应严苛环境的应用，如汽车电子和工业设备。

3. 应用领域

DMN4468LSS-13因其卓越的性能和适用范围，在众多行业中均有广泛应用，主要包括：

• 电源管理和转换: 在开关电源、直流-直流转换器、同步整流等应用中，提供高效的电力转换。
• 汽车电子: 在汽车电气系统中，用于电池管理、驱动电机和其他高功率负载。
• 消费电子: 应用于手机、电池充电器和其他便携式设备，提供稳定的电源支持。
• 工业控制: 适用于各种工业自动化设备、PLC和其它控制模块。

4. 结论

综上所述，DMN4468LSS-13是一款设计灵活、性能卓越的N沟道MOSFET，适合各种工业和消费电子应用。其高达10A的连续漏极电流能力和30V的漏源极电压使其在不同的应用场合中均能高效运行。同时，合理的导通电阻和宽温工作范围更是其市场竞争力的体现。无论是在新产品开发还是在现有产品的优化升级中，DMN4468LSS-13都将是一个值得信赖的选择。