型号:

DMN3070SSN-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SC59
批次:2年内
包装:编带
重量:0.022g
其他:
DMN3070SSN-7 产品实物图片
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DMN3070SSN-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 780mW 30V 4.2A 1个N沟道 SC-59
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)40mΩ@10V,4.2A
功率(Pd)780mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.1V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)13.2nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)697pF@15V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

DMN3070SSN-7 产品概述

产品名称: DMN3070SSN-7
类型: N-channel MOSFET
封装类型: SC-59
品牌: DIODES (美台)

1. 产品简介

DMN3070SSN-7 是一款高性能的 N-channel MOSFET,旨在满足高效功率管理和开关应用的需求。凭借其卓越的电气性能和紧凑的封装设计(SC-59),它非常适合用于消费电子、通信设备和工业控制等多个领域。

2. 主要规格

  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id)(25°C时): 4.2A
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 2.1V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds On): 40mΩ @ 4.2A, 10V
  • 最大功率耗散(Ta=25°C): 780mW
  • 最大栅极源电压(Vgs): ±20V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值): 40mΩ @ 4.2A, 10V
  • 不同Id时Vgs(th)(最大值): 2.1V @ 250µA
  • 在不同Vgs下的栅极电荷(Qg)(最大值): 13.2nC @ 10V
  • 输入电容(Ciss)(最大值): 697pF @ 15V
  • 工作温度范围: -55°C ~ 150°C

3. 电气性能

DMN3070SSN-7 提供出色的电气性能,适用于需要高效率和低损耗的应用。其低导通电阻(Rds On)特性使其能够在较高电流下运行,而不产生过多的热量,从而加强了其在功率调节和开关电源中的表现。此外,其较大的漏源电压(Vdss)和连续漏极电流(Id)使该器件能够承受较高的负载,提高了设备的耐用性和稳定性。

4. 应用领域

DMN3070SSN-7 适用于各种电子产品,主要应用包括但不限于:

  • 开关电源: 由于其低导通电阻和高开关速度,该器件非常适合用作开关电源中的开关元件。
  • 高效电池管理: 可用于便携式设备中的电池充电和放电管理,帮助实现提高电池性能和延长使用寿命。
  • LED驱动: 适用于LED照明和显示产品,利用其快速开关特性和高可靠性来实现高效驱动。
  • 电机控制: 可以在电动机控制系统中被用作驱动器,控制电机的运行状态,从而提升电机的性能与效率。
  • 消费电子: 广泛应用于各类消费电子产品中,实现能量高效管理。

5. 物理与热性能

该器件采用表面贴装型封装(SC-59),在小尺寸的同时确保良好的热性能,能够有效散热。其工作温度范围从 -55°C 到 150°C,适应各种严苛环境下的工作要求,确保在不同应用场合中的稳定运行。

6. 总结

DMN3070SSN-7 N-channel MOSFET是一款具有多种优异性能的半导体元器件,适合广泛的应用。如需更多详细信息,建议用户查阅产品数据手册,以便于在具体应用中实现最优性能。凭借DERIODES的可靠性和技术支持,该元件可以帮助设计师实现更高效的电路设计和更好的系统性能。无论是工业应用还是消费类电子,DMN3070SSN-7都将是一个可靠的选择。