描述：场效应管(MOSFET) 1.3W 20V 6.5A 1个N沟道 SOT-23-3
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)6.5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)36mΩ@1.8V,3.5A
功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)900mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)8.5nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)151pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)32pF@10V
工作温度-55℃~+150℃
DMG6968U-7 产品概述
1. 概述
DMG6968U-7 是一种高性能的 N沟道 MOSFET，具有出色的电流承载能力和低导通电阻，广泛应用于各种电子设备的开关和放大电路。该器件的最大漏源电压为 20V，能够支持的连续漏极电流高达 6.5A，适合于高效能电源管理和信号处理应用。
2. 关键参数
- 漏源电压 (Vdss): 20V
- 连续漏极电流 (Id): 6.5A @ 25°C
- 导通电阻 (Rds(on)): 25mΩ @ 6.5A, 4.5V
- 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 900mV @ 250μA
- 最大功率耗散 (Pd): 1.3W @ Ta=25°C
- 驱动电压范围: 1.8V 至 4.5V
- 栅极电荷 (Qg): 8.5nC @ 4.5V
- 输入电容 (Ciss): 151pF @ 10V
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: SOT-23-3
3. 主要特点
DMG6968U-7 采用先进的 MOSFET 技术，具备以下主要特点：
- 低导通电阻: 低 Rds(on) 值为 25mΩ，确保了在高电流条件下的有效能量传输，减少了热量生成，从而提高了整个系统的效率。
- 广泛的工作温度: 器件具有宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），使其在极端环境下的应用成为可能，特别适合航空航天、汽车电子等对环境要求严格的场景。
- 高效能: 栅源阈值电压为 900mV，亚阈值操作使得该 MOSFET 能够在低电压条件下启动，加快了开关响应时间，有效地降低了待机功耗。
- 紧凑封装: SOT-23-3 封装有助于节省板空间，适用于小型化设计需求。其表面贴装型设计使得安装过程更加方便和高效。
4. 应用领域
DMG6968U-7 适用于多种应用场景，包括但不限于：
- 电源管理: 在电源开关和电源转换器中，DMG6968U-7 可以用作开关元件，控制电源的开启和关闭。
- 电机驱动: 在电机控制和驱动电路中，可以利用该 MOSFET 的高电流能力和低导通电阻，实现更高效的电机控制。
- 高效能通信设备: 在信号放大和开关领域，适合用作低噪声放大器及数字逻辑电路的开关。
- 汽车电子: 在现代汽车中，DMG6968U-7 可以被用于各种电子控制单元（ECU）、电动窗口、空调控制电路等。
5. 结论
DMG6968U-7 是一款功能强大且性能卓越的 N沟道 MOSFET，凭借其优越的电性能和适应性，成为多种电子应用的理想选择。它的低导通电阻、大电流能力和广泛工作温度范围使其在各种苛刻环境中依然能够稳定运行。此外，其紧凑的封装形式也满足了现代电子产品对小型化和高集成度的需求。因此，DMG6968U-7 是一个极具吸引力的选择，用于构建高效能、可靠性的电子系统。