型号:

DMC2700UDM-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT26
批次:23+
包装:编带
重量:0.027g
其他:
DMC2700UDM-7 产品实物图片
DMC2700UDM-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.12W 20V 1.34A;1.14A 1个N沟道+1个P沟道 SOT-26
库存数量
库存:
19940
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.374
3000+
0.35
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)1.14A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)700mΩ@2.5V,300mA
功率(Pd)1.12W
阈值电压(Vgs(th)@Id)500mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)622.4pC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)59.76pF@16V
反向传输电容(Crss@Vds)6.36pF@16V
工作温度-55℃~+150℃

DMC2700UDM-7 产品概述

一、产品简介

DMC2700UDM-7 是由 DIODES (美台) 生产的一款高性能的双管场效应晶体管(MOSFET),具有 N 型和 P 型两种管道。它的设计旨在实现高效的开关和线性装置,适用于各种逻辑电平应用。DMC2700UDM-7 特别适用于低电压和中等电流的电源管理、电机驱动和各种信号处理应用。

二、主要参数

  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时):N沟道最大 1.34A,P沟道最大 1.14A,确保了在常见工作温度下的稳定性能。
  • 漏源电压(Vdss):最高工作电压为 20V,满足大多数低电压应用的需求。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)):1V @ 250µA,提供较低的门电压开启要求,适合逻辑电平驱动。
  • 漏源导通电阻(Rds(on)):400mΩ @ 600mA, 4.5V,保证了在导通状态下的低功耗,适用于高效能电路。
  • 最大功率耗散:在环境温度 25°C 下能够承受最大功率 1.12W,确保了广泛的应用场景。
  • 工作温度范围:可在 -55°C 至 150°C 的极端条件下工作,适合各种工业和消费类电子设备。

三、封装与安装

DMC2700UDM-7 采用 SOT-26 封装,此封装类型适用于表面贴装技术(SMT),便于在现代电路板上的自动化生产和焊接。这种紧凑的封装既减少了空间占用,又有助于提高整体产品的集成度和可靠性。

四、应用场景

DMC2700UDM-7 可以广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. 电源管理:该 MOSFET 可用于 DC-DC 转换器、线性稳压器及其他电源管理电路,以实现高效能和低功耗。
  2. 电机驱动:在电动机控制电路中,DMC2700UDM-7 提供可靠的开关能力和优秀的导通性能。
  3. 信号处理:适用于高频信号的处理和开关,能够保证信号的完整性及稳定性。
  4. 便携式设备:在移动设备和可穿戴设备中,由于其小型化的特点和高效能,能够有效延长电池寿命。

五、技术优势

  • 高效性:低导通阻抗和较低的栅极电压要求,使 DMC2700UDM-7 在提高效率的同时降低了功耗。
  • 广泛的工作温度范围:优良的温度稳定性确保了在严苛环境下的可靠性。
  • 双管设计:集成 N 型和 P 型 MOSFET,简化电路设计,减少组件数量,优化PCB布局。
  • 先进的封装技术:SOT-26 封装确保了良好的散热性能及电气性能,适应快速发展的电子设备需求。

六、总结

DMC2700UDM-7 作为 DIODES 公司的一款高性能 MOSFET,凭借其优良的电气性能和热特性,成为电源管理、电机控制和逻辑电平驱动等应用领域的理想选择。其紧凑的 SOT-26 封装和双管设计使得其在现代电子设备中展现出极高的适用性和可行性,是各种消费类和工业产品中的可靠解决方案。