型号:

DDTC144EE-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT523
批次:5年内
包装:编带
重量:1g
其他:
DDTC144EE-7-F 产品实物图片
DDTC144EE-7-F 一小时发货
描述:数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个NPN-预偏置 SOT-523-3
库存数量
库存:
139
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.532
200+
0.177
1500+
0.111
3000+
0.088
产品参数
属性参数值
集射极击穿电压(Vceo)50V
集电极电流(Ic)30mA
功率(Pd)150mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)33@10mA,5V
最小输入电压(VI(on)@Ic/Io,Vce/Vo)1V@2mA,0.3V
最大输入电压(VI(off)@Ic/Io,Vce/Vcc)300mV@100uA,5V
输出电压(VO(on)@Io/Ii)100mV@5mA,0.25mA
工作温度-55℃~+150℃

产品概述:DDTC144EE-7-F 数字晶体管

一、产品简介

DDTC144EE-7-F 是一款由美台(DIODES)公司推出的高性能 NPN 数字晶体管,采用表面贴装(SMD)封装,型号为 SOT-523-3。这款晶体管特别设计用于低功耗和紧凑型电子设备,适合于信号开关、放大和其他多种应用场景,最大可以承受 150mW 的功率,具有出色的电流控制能力和较低的饱和压降。

二、基础参数

DDTC144EE-7-F 的主要电气参数包括:

  • 电流 - 集电极 (Ic): 最大值 100mA,适合于小型信号放大和开关应用。
  • 电流 - 集电极截止: 最大值 500nA,显示了该器件在关闭状态下的优越泄漏特性。
  • 电压 - 集射极击穿 (Vce): 最大值 50V,尽管在大多数应用中,工作电压通常都低于此值,但这一参数提供了设备较好的电气安全性。
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 在不同的基极电流 (Ib) 和集电极电流 (Ic) 条件下,饱和压降最大值为 300mV (在 500µA 和 10mA 时),这使得器件在提供所需开关特性时具有较低的导通损耗。
  • DC 电流增益 (hFE): 在 5mA 和 5V 时,最小值为 68,展现出器件有良好的增益特性。

三、应用领域

DDTC144EE-7-F 数字晶体管被广泛应用于多个领域,特别是在数字电路、模拟开关、放大器和各种小型电子模块中。其高频特性(频率转换能力可达 250MHz)使其在高频开关电路中同样具有良好的表现。此外,基于其较低的功耗和高效的性能,DDTC144EE-7-F 特别适合于便携式设备和电池供电的系统中,帮助延长电池的使用寿命。

四、封装和设计

该器件的封装类型为 SOT-523,这是一种小型的表面贴装封装形式,尺寸紧凑,有助于节省电路板空间,适合现代电子产品对小型化的持续需求。此外,SOT-523 封装使得焊接和自动化组装更加方便,提高生产效率,降低生产品的整体成本。

五、产品优势

  1. 高集电极电流能力: 能够承受高达 100mA 的集电极电流,使其能够处理多种应用场合的需求。
  2. 低饱和压降: 低饱和压降(300mV)意味着设备在开启时能有效减小热量产生,从而提高系统的能效。
  3. 优异的频率响应: 在 250MHz 的频率下能够保持稳定性,这对于需要快速开关操作的应用来说是一个重要特性。
  4. 较低的泄漏电流: 500nA 的集电极截止电流提供了低功耗操作,即使在非活动状态下,器件也表现出极低的能耗。

六、总结

DDTC144EE-7-F 是一款高效、可靠的数字晶体管,能够在多种工作条件下提供优秀的性能,无论是在工业、家用设备,还是在消费电子产品中,它都能成为设计师和工程师的理想选择。凭借其小巧的 SOT-523 封装、高集流能力和优良的电气特性,DDTC144EE-7-F 将为许多未来的电子应用提供强大的支持。