描述：表面贴装型-N-通道-60V-280mA（Ta）-500mW（Ta）-PG-SOT323-3
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200+
0.247
1500+
0.215
3000+
0.19
产品参数
属性参数值
安装类型表面贴装型
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）3.5 欧姆 @ 200mA，10V
技术MOSFET（金属氧化物）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)280mA（Ta）
FET 类型N 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）43pF @ 25V
Vgs（最大值）±20V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）1.5nC @ 10V
漏源电压（Vdss）60V
功率耗散（最大值）500mW（Ta）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.4V @ 26µA
BSS138WH6327XTSA1 产品概述
一、概述
BSS138WH6327XTSA1 是由英飞凌（Infineon）公司制造的一款高效能 N 通道MOSFET，专为面向各种电子应用而设计的。该元器件封装为 SOT-323，是一种表面贴装型产品，提供了优异的性能和可靠性。凭借其出色的导通电阻、良好的电流承载能力和宽工作温度范围，BSS138WH6327XTSA1 广泛应用于低电压和低功耗的电路设计。
二、技术规格
安装类型和封装
- BSS138WH6327XTSA1 采用表面贴装型设计，提供方便的安装方式，适用于自动化焊接工艺。其 SOT-323 封装尺寸小，有助于节省电路板空间，适合现代紧凑型电子产品。
导通电阻（Rds On）
- 在额定条件下（200mA、10V），该 MOSFET 的导通电阻最大为 3.5 欧姆，确保在负载运行时的低功耗损失。这使其适合用于高效能电源管理和开关应用。
电流与电压参数
- 连续漏极电流（Id）最大可达 280mA，漏源电压（Vds）为 60V，适应大多数低电压应用场合。其驱动电压为 4.5V（最小）和 10V（最大），增强了与其他逻辑电平兼容的能力。
输入电容与栅极电荷
- 在 25V 的条件下，输入电容（Ciss）最大为 43pF，使得该 MOSFET 具有良好的开关特性。栅极电荷（Qg）最大为 1.5nC（在 10V 的 Vgs 下），也说明其在开关操作时所需的驱动功率较低，有利于实现高效的动态响应。
阈值电压（Vgs(th)）
- 该器件的阈值电压最大为 1.4V（在 26µA 条件下），确保它能够早期导通，增强电路的响应速度。
工作温度和功率耗散
- 工作温度范围为 -55°C 至 150°C，使其在各种严苛环境下也能稳定运行。同时，最大功率耗散为 500mW，满足不同应用的热性能需求。
三、应用场景
BSS138WH6327XTSA1广泛应用于消费电子、电源管理、电机驱动、自动化控制等领域。其特点决定了它可以有效用于：
开关电路：适用于低电压开关电路，能够高效地控制负载开关状态。
电源管理：在电源转换电路中，该 MOSFET 可用于实现高效的电源调节与转换，最大限度地减少能量损耗。
信号开关：适用于数据信号的开关控制，能够快速响应变化，提升信号处理速度。
智能家居和物联网设备：由于其低功耗和高密度特性，适合用于各种智能设备，支持高效的集成设计。
四、总结
BSS138WH6327XTSA1 是一款可靠的 N 通道 MOSFET，凭借其优越的电气性能和广泛的应用潜能，非常适合现代电子电路设计。通过集成高效的开关特性和紧凑的封装设计，BSS138WH6327XTSA1 不仅满足了电子工程师对节能和空间利用的要求，也为各种应用提供了应用灵活性和互操作性。在追求高效和微型化的电子设计时代，该产品无疑是一个理想的选择。