型号:

BC856B-7-F

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:2年内
包装:编带
重量:0.033g
其他:
BC856B-7-F 产品实物图片
BC856B-7-F 一小时发货
描述:三极管(BJT) 300mW 65V 100mA PNP SOT-23
库存数量
库存:
16657
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.108
3000+
0.086
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)100mA
集射极击穿电压(Vceo)65V
功率(Pd)310mW
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)220@2.0mA,5V
特征频率(fT)200MHz
集电极截止电流(Icbo)4uA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)300mV@10mA,0.5mA
工作温度-65℃~+150℃

产品概述:BC856B-7-F晶体管

一、产品简介

BC856B-7-F是一款高性能的PNP型双极性晶体管(BJT),其设计强调了优异的电流增益以及较低的饱和压降,使其在多个电子应用中具有出色的性能表现。此款元器件主要由DIODES(美台)公司生产,采用SOT-23封装,适合显著节省空间的表面贴装设计。凭借其卓越的工作参数与稳定性,BC856B-7-F广泛应用于小信号放大器、开关电路以及其他线性和非线性电路中。

二、主要参数

  1. 额定功率与电流

    • 额定功率:300mW
    • 集电极电流 (Ic):最大100mA,适用于低功耗应用环境。
    • 电流 - 集电极截止(最大值):15nA,确保在关断状态下的超低漏电流,适合对功耗敏感的电路。
  2. 电压参数

    • 集射极击穿电压 (Vce):最大值65V,适应较高电压的应用场景。
    • 饱和压降 (Vce sat):650mV @ Ic=5mA和100mA,提供优秀的开关特性。
  3. 电流增益

    • DC电流增益 (hFE):最小值220 @ 2mA, 5V,表明在较低输入电流下仍能实现良好的放大效果,为信号增益提供稳定支持。
  4. 频率与温度

    • 频率 - 跃迁:200MHz,适用于高频信号的传输和处理。
    • 工作温度范围:-65°C ~ 150°C(TJ),使得该器件能够在极端环境下稳定工作。
  5. 封装与安装

    • 封装类型:SOT-23,体积小巧,便于进行批量生产与大规模集成。
    • 安装类型:表面贴装(SMD),符合现代电子产品的设计需求,简化了PCB布局。

三、应用场景

BC856B-7-F适宜运用在多种电子电路中,包括但不限于:

  • 音频放大器:可以用作音频信号的小信号放大。
  • 开关电路:在开关电源和数字电路中用作信号开关。
  • 传感器信号处理:可用于传感器信号的放大,提供准确的数据解析。
  • RF放大器:适合用于射频应用中,包括无线通信设备。

四、总结

BC856B-7-F以其高额定功率、适中的集电极电流和宽广的工作温度范围,为各种电子设计需求提供灵活的解决方案。其高电流增益和低饱和压降特性,使其在高频和低功耗应用中表现出色。该晶体管的可靠性能与便捷的SOT-23表面贴装封装设计,使其在现代电子产品中十分受欢迎。无论是对于专业设计师,还是DIY爱好者,BC856B-7-F都是实现高效电路设计的理想选择。