型号:

AOT286L

品牌:AOS
封装:TO220
批次:12+
包装:管装
重量:-
其他:
AOT286L 产品实物图片
AOT286L 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 167W;2.1W 80V 70A;13A 1个N沟道 TO-220
库存数量
库存:
1
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.443
50+
0.261
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)80V
连续漏极电流(Id)70A;13A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)6mΩ@20A,10V
功率(Pd)167W;2.1W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)63nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)3.142nF@40V
工作温度-55℃~+175℃@(Tj)

AOT286L 产品概述

AOT286L是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),采用TO-220-3封装,专为中到高功率应用而设计,能够提供优良的开关性能和低导通电阻。作为AOS(Advanced Optoelectronic Systems)品牌的产品,AOT286L旨在满足现代电子设备对效率和可靠性的日益增长的需求。

主要规格

  • 封装/外壳: TO-220-3
  • FET类型: N沟道
  • 漏源极电压(Vdss): 80V
  • 最大漏电流(ID): 70A(在适当散热条件下)
  • 功耗: 167W(最大),在特定的工作环境下,可稳定提供2.1W的持续功率
  • 安装类型: 通孔安装(THT)

性能特点

  1. 高电压和电流承载能力: AOT286L的漏源极电压为80V,能够满足许多中等电压应用的要求,730A的漏电流则确保在高功率条件下的可靠运行。

  2. 低导通电阻: 此MOSFET具有低导通电阻(RDS(on)),这意味着在开和关之间转换时损耗变得更小,能显著提高整体电路的效率,降低热量的产生。

  3. 优越的热管理: TO-220封装设计允许MOSFET与外部散热器直接连接,帮助在高功率操作下保持组件的安全温度。

  4. 高频性能: AOT286L能够在较高频率下稳定操作,适用于开发高效的开关电源和变换器等应用。

  5. 可靠性: AOS一直致力于质量管理,AOT286L经过严格的测试,保证了高可靠性和长期稳定性。

应用场景

AOT286L在多种应用中都能找到其身影,特别是在以下领域:

  • 开关电源: 作为开关管,能够高效地切换电流,常用于电源管理和能量转换。
  • 电机驱动: 适合用作电机驱动中的电力开关,通过快速开关控制实现精确的速度和扭矩控制。
  • 电力转换器: 在DC-DC转换器和电力因数校正(PFC)中,AOT286L能够有效转化电能,提高电源效率。
  • 音频放大器: 用于高保真音频系统中的开关电路,帮助音频信号的处理。
  • 汽车电子: 被广泛应用于汽车的电源管理系统,推动汽车电子设备的高效运作。

结论

总的来说,AOT286L是一款兼具高性能与高可靠性的N沟道MOSFET,凭借其优越的电气特性和良好的热管理能力,广泛适用于多种电子工程应用。对那些寻求高效能和高稳定性的设计师和工程师而言,AOT286L是一个值得信赖的选择。无论是在传统的电源管理应用,还是将在未来的高科技领域中,这款MOSFET都能为您提供最佳的支持与保障。