型号:

AO4484

品牌:AOS
封装:SOIC-8
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
AO4484 产品实物图片
AO4484 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.7W 40V 10A 1个N沟道 SOIC-8
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.55
3000+
1.47
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)10A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)10mΩ@10A,10V
功率(Pd)1.7W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)37nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.95nF@20V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

AO4484 MOSFET 产品概述

概述

AO4484是一款高效能的N沟道金属氧化物场效应晶体管(MOSFET),适用于高频开关电源、低能耗负载驱动以及汽车电子等应用场景。这款MOSFET采用表面贴装(SMD)封装形式,具有出色的电气性能和热管理特性,适合在严苛环境下工作。

基本参数

AO4484 MOSFET的主要参数包括:

  • 安装类型: 表面贴装型(SMD),便于自动化生产和装配。
  • 导通电阻 (Rds(on)): 在10A和10V的条件下,其最大导通电阻为10毫欧,优化了电能损耗,提升了整体效率。
  • 驱动电压: 此MOSFET在4.5V到10V的范围内均可实现最佳性能,满足了多种驱动要求。
  • 漏电流: 该器件能够承受高达10A的持续漏极电流(Id),适用于需要高电流驱动的场合。
  • 漏源电压 (Vdss): 该型号的最大漏源电压为40V,使其适合用于中等电压的应用。
  • 功耗: 在25°C环境温度下,其最大功率耗散达到1.7W,表明AO4484具有良好的热管理能力。

电气性能

AO4484在不同条件下的电气性能表现出了其优秀的设计。其在不同的漏极源电压(Vds)条件下,输入电容(Ciss)最大值可以达到1950pF,能够在大功率转变中确保快速、稳定的开关性能。此外,在10V驱动条件下,栅极电荷(Qg)最大值为37nC,有效降低了驱动电路的功耗。

可靠性和环境适应性

AO4484的工作温度范围极广,从-55°C到150°C的温度都能确保良好的功能表现,适用于恶劣环境的应用。这种高可靠性的特性使其在汽车、工业及其他高温、高湿 conditions中广泛适用。

应用场景

AO4484 MOSFET非常适合用于诸如:

  1. DC-DC电源转换器: 在电压和电流转换中保持高效,降低开关损耗。
  2. 电机驱动: 超低的导通电阻保证了电机驱动的高效和长效运行。
  3. 电源管理: 在电子设备中高效管理电源,确保设备的稳定运行。
  4. 汽车电子: 在汽车电子系统中应用广泛,能够承受高温环境,保障汽车系统的安全和稳定。

封装和机械特征

AO4484采用SOIC-8封装,这种封装形式体积小、引脚间距合理,适合现代电子设备的缩小尺寸需求,便于布局设计和自动化生产。

结论

AO4484作为一款性能出色的N沟道MOSFET,凭借其低导通电阻、高功率处理能力和杰出的热管理特性,成为了多种应用的理想选择。其广泛的工作温度范围和高电气性能,使得AO4484在汽车、工业和消费电子等领域的应用十分广泛。无论是进行电源管理、驱动负载,还是在复杂的电子电路中进行高效开关,AO4484均可展现出优秀的运行性能,适合追求高效率、低能耗设计的工程师和设计师。