型号:

2STF1360

品牌:ST(意法半导体)
封装:SOT-89-3
批次:24+
包装:编带
重量:0.182g
其他:
2STF1360 产品实物图片
2STF1360 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1.4W 60V 3A NPN SOT-89-3
库存数量
库存:
9217
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.479
2500+
0.44
产品参数
属性参数值
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)3A
集射极击穿电压(Vceo)60V
功率(Pd)1.4W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)160@1A,2V
特征频率(fT)130MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)130mV@2A,100mA
工作温度-65℃~+150℃

2STF1360 产品概述

产品名称: 2STF1360
类型: NPN 晶体管
封装: SOT-89-3
品牌: STMicroelectronics (意法半导体)

基本特性
2STF1360 是一种 NPN 型晶体管,专为低电压、高电流和高频应用设计。该元器件具有出色的性能指标,适用于各种电子设备和电路的电流放大和开关应用。

电气参数

  • 集电极电流 (Ic): 最大值为 3A,这使其能够承载较大电流,适合负载驱动应用。
  • 集射极击穿电压 (Vce): 最大值为 60V,为其在高电压环境中的使用提供了充足的安全余地。
  • 功率: 额定功率为 1.4W,保证在保证其热管理的前提下,能够稳定工作。
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 在 3A 时,饱和压降最大为 500mV,而在 150mA 的情况下,表现出更优异的饱和特性,这对于大电流工作时的效率至关重要。
  • 集电极截止电流 (ICBO): 最大值为 100nA,显示出其良好的封装与选择性,使其适合精细电路的应用。
  • 直流电流增益 (hFE): 在 1A 和 2V 条件下,最小值为 160,表明该晶体管在放大作用中的性能良好,能够有效提高信号强度。

频率特性
该晶体管的跃迁频率达到 130MHz,使得其在高频工作下依然保持良好的性能,适合于高频开关应用及射频放大器设计。

工作温度
工作温度范围达 150°C (TJ),使得 2STF1360 能在较高的环境温度下稳定运行,适用于各种工业环境和消费电子产品。

封装与安装
2STF1360 采用表面贴装型封装 (SOT-89-3),该封装形式紧凑,适合于空间受限的设计,方便集成到其他电路中。表面贴装技术(SMT)允许更高的装配密度和更快的生产速度。

应用场景
2STF1360 的高电流和高增益特性使得其非常适合于多种应用场景,包括但不限于:

  • 电源管理: 可应用于开关电源(SMPS)和电压调节模块(VRM)。
  • 信号放大: 在音频放大器及射频电路等需要线性放大的场合表现优异。
  • 开关应用: 由于其优良的开关特性,可用于驱动继电器、LED、马达等负载,广泛应用于工业控制和家用电器。
  • 低功耗电路: 借助其低轻负荷时的截止电流,适合低功耗应用的设计。

总结
2STF1360 是一款高效能 NPN 晶体管,凭借其出色的电气特性、高频性能以及适应恶劣环境的能力,广泛适应在现代电子设备中的多种应用。其符合表面贴装技术的设计不仅节省了空间,同时提升了生产效率,为设计工程师提供了更多的灵活性和选择性。无论是对于消费电子产品,还是工业解决方案,2STF1360 都展现出卓越的性能与可靠性。