型号:

DMC3016LSD-13

品牌:DIODES(美台)
封装:SO-8
批次:23+
包装:编带
重量:0.246g
其他:
DMC3016LSD-13 产品实物图片
DMC3016LSD-13 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.2W 30V 8.2A;6.2A 1个N沟道+1个P沟道 SO-8
库存数量
库存:
2077
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.55
100+
1.2
1250+
1.04
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8.2A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)38mΩ@4.5V,5.2A
功率(Pd)1.2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)22nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.241nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)110pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

DMC3016LSD-13 产品概述

DMC3016LSD-13 是一款由美台(DIODES)公司推出的双极场效应管(MOSFET),具有广泛的应用场景。该器件集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道的功率 MOSFET,封装为表面贴装型 SO-8,使其在尺寸紧凑的同时,能够支持相对较高的功率和电流。这些特性使 DMC3016LSD-13 特别适合于多种电子电路中的电源管理及开关应用。

主要参数

  1. 漏源电压 (Vdss): 该器件的漏源电压最大值为 30V,这使得 DMC3016LSD-13 适合于中压应用,如 DC-DC 转换器、开关电源等。

  2. 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下,N 沟道的连续漏极电流可达 8.2A,而 P 沟道则为 6.2A。这一特性使得该器件在负载较重的情况下仍能够稳定工作。

  3. 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 的测试条件下,该器件的栅源极阈值电压为 2.3V,确保了它在低电压驱动情况下的可控性,适合采用逻辑电平信号驱动。

  4. 漏源导通电阻 (RDS(on)): 在 12A 和 10V 的条件下,器件的漏源导通电阻为 16mΩ,这表示在通电时的功率损耗非常小,有助于提高整体系统的能效。

  5. 最大功率耗散: DMC3016LSD-13 的最大功率耗散为 1.2W,使其在多种应用环境中表现良好,具有良好的热管理性能。

  6. 工作温度范围: 该器件可在 -55°C 至 150°C 的温度范围内正常工作,适用于极端环境下的应用。

封装与安装

DMC3016LSD-13 使用 8-SOIC 封装,封装尺寸为 0.154"(3.90mm)。其表面贴装(SMD)类型设计,便于自动化生产和紧凑型电路设计。这种小型封装不仅节省了PCB空间,也提高了散热性能。

应用领域

DMC3016LSD-13 可广泛应用于以下领域:

  • 开关电源: 在开关电源中,MOSFET 的快速开关特性可以显著提高电源的转换效率,从而实现电源小型化和高效化。
  • 电机驱动: 可用于电机的控制和驱动电路,尤其是在低电压小功率电机系统中。
  • LED 驱动: 在 LED 照明系统中,DMC3016LSD-13 的高效能能够提升电源转换的效率,延长 LED 的使用寿命。
  • DC-DC 转换器: 在升压或降压转换器中,MOSFET 的性能能够有效改善整体转换效率,提供稳定的输出。

结论

DMC3016LSD-13 的设计理念是满足现代电子应用对高性能、低功耗和小型化的要求。凭借其优异的电气特性和广泛的工作范围,该器件在各种应用中都能提供可靠的性能。因此,对于需要集成高效、大电流开关和管理功能的设计师来说,DMC3016LSD-13 是一个理想的选择。