型号:

BSS127S-7

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT23
批次:2年内
包装:编带
重量:0.028g
其他:
BSS127S-7 产品实物图片
BSS127S-7 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 610mW 600V 50mA 1个N沟道 SOT-23
库存数量
库存:
51929
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.484
200+
0.312
1500+
0.271
3000+
0.24
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)600V
连续漏极电流(Id)50mA
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)160Ω@10V,16mA
功率(Pd)610mW
阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)1.08nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)21.8pF@25V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

BSS127S-7 产品概述

产品简介
BSS127S-7 是一款高压 N 沟道场效应管(MOSFET),由美台(DIODES)品牌制造。该器件特别设计用于高效的开关和放大应用,具备优良的电气特性和可靠的性能。它的主要参数包括漏源电压(Vdss)为650V,最大连续漏极电流(Id)为50mA,适合采用表面贴装方式的电路板设计。

基本参数

  • 漏源电压(Vdss): 600V
  • 连续漏极电流(Id): 50mA(25°C时)
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4.5V @ 250µA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 160Ω @ 16mA, 10V
  • 最大功率耗散(Pd): 610mW(在25°C情况下)

电气特性
BSS127S-7 提供了足够的操作范围,在低功耗下仍能保持高性能。例如,它的驱动电压范围为5V至10V,确保了在不同工作条件下的稳定性与可靠性。该器件的导通电阻表现良好,对于保证性能的电源开关和信号调节应用至关重要。根据测试结果,其在16mA时的导通电阻为160Ω,这使得它非常适合低功率电气设备,尤其是在16mA以下的漏极电流下。

工作环境
BSS127S-7 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C,表明它能够在极端环境中可靠工作,满足各种工业和消费电子产品的需求。通过优良的热管理设计,用户可以在较高温度下安全使用该器件,而不必担心过热损坏。这为其在电动工具、汽车电气系统以及便携式设备中的应用提供了理想的解决方案。

封装与安装
该MOSFET采用 SOT-23 封装(TO-236-3,SC-59),适合表面贴装。SOT-23 封装小巧灵活,便于在空间有限的电路板上使用,适用于现代微型设备。其封装设计还确保了良好的散热性能,有助于器件在高功率工作时保持稳定。安装过程简单,可以有效降低生产工艺成本。

应用领域
BSS127S-7 非常适合以下几种应用:

  1. 开关电源:在高驱动需求的电源模块中,包括正弦波逆变器和开关电源(SMPS)。
  2. 汽车电子:能够应对汽车内部的低电流、高电压开关应用,如车灯和电动窗控制等。
  3. 消费电子:合适用于液晶显示器、便携式电子产品等,有助于提升电池效率。
  4. 信号放大器:在小信号处理和传感器应用中,用于增强信号。

总结
总的来说,BSS127S-7 是一款兼具高性能和广泛适用性的 N 沟道 MOSFET,具备优良的电气特性、良好的散热能力以及宽广的工作温度范围,适用于多种工业和消费类应用。其高压、低功耗的特性,使其在现代电子设计中成为一个可靠且高效的选择。