型号:

BSR33TA

品牌:DIODES(美台)
封装:SOT89
批次:2年内
包装:编带
重量:0.212g
其他:
BSR33TA 产品实物图片
BSR33TA 一小时发货
描述:三极管(BJT) 1W 80V 1A PNP SOT-89-3
库存数量
库存:
1419
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:1000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.662
1000+
0.61
产品参数
属性参数值
晶体管类型PNP
集电极电流(Ic)1A
集射极击穿电压(Vceo)80V
功率(Pd)1.5W
直流电流增益(hFE@Ic,Vce)100@100mA,5V
特征频率(fT)100MHz
集电极截止电流(Icbo)100nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)250mV@150mA,15mA
工作温度-65℃~+150℃

BSR33TA 产品概述

产品简介

BSR33TA 是一款由 DIODES(美台)生产的 PNP 型晶体管,广泛应用于高效能电子电路设计中。其设计参数使其非常适合用于低功耗及中功率应用,具备出色的电气性能和热稳定性。该组件采用 SOT-89-3 表面贴装封装,符合现代电子设备对空间和性能的双重需求。

主要参数

  1. 额定功率:BSR33TA 能够承受的最大功率为 1 瓦特,适合用于低功耗元件和电路设计。

  2. 集电极电流 (Ic):该晶体管的集电极电流最大可达 1 安培,提供足够的驱动能力以满足多种应用要求。

  3. 集射极击穿电压 (Vce):BSR33TA 的集射极击穿电压为 80 伏特,适合于中高电压电路工作,确保在较高负载条件下的稳定性和可靠性。

  4. 饱和压降 (Vce(sat)):在 50mA 和 500mA 的条件下,其最大饱和压降为 500 毫伏,低饱和压降特性有助于提高整体功率转换效率。

  5. 截止电流 (ICBO):在 ICBO 条件下,其最大截止电流为 100 纳安,表明此晶体管在不导电状态下的漏电流极低,适合于高精准度的电路应用。

  6. 直流电流增益 (hFE):在 100mA 和 5V 的标准条件下,BSR33TA 的最小 hFE 值为 100,确保良好的放大特性,使其在信号处理应用中更加有效。

  7. 频率响应:BSR33TA 的频率跃迁达到 100MHz,适合高频应用,如 RF 电路和快速开关应用,显示出其优异的频率特性。

  8. 工作温度范围:组件的工作温度范围从 -65°C 到 150°C,确保在极端环境条件下也能正常工作,增加了其在工业和军事应用中的适应性。

  9. 封装类型:SOT-89-3 封装设计使得 BSR33TA 具备紧凑的外形,适合高密度电路板,并易于自动化贴装。

应用领域

BSR33TA 的设计使其适用于多种应用领域,包括但不限于:

  • 开关电源:由于其优良的饱和压降和高电流处理能力,适合用作开关电源中的开关元件。
  • 放大器电路:得益于其高增益特性,BSR33TA 可作为音频放大器、信号处理及其他放大应用中的核心元件。
  • 功率控制:可应用于各种功率控制电路,例如电机驱动、LED 驱动等。
  • 自动化设备:在自动化及控制系统中,BSR33TA 可用作信号开关和控制元件。

总结

BSR33TA 是一款高性能的 PNP 晶体管,具备 1W 的额定功率和 80V 的集射极击穿电压,适用于多种中低功率、高频应用领域。凭借其优异的电气特性、低饱和压降和广泛的工作温度范围,这款晶体管成为现代电子电路设计中不可或缺的重要元件。无论是在消费电子、工业自动化还是通信设备中,BSR33TA 都能够提供高效、稳定的性能,满足用户的需求。