型号:

AO4892

品牌:AOS
封装:SOIC-8
批次:2年内
包装:编带
重量:0.206g
其他:
AO4892 产品实物图片
AO4892 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2W 100V 4A 2个N沟道 SOIC-8
库存数量
库存:
1709
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.38
100+
1.1
750+
0.984
1500+
0.929
3000+
0.88
产品参数
属性参数值
类型2个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)4A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)94mΩ@4.5V,3A
功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.8V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)12nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)415pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)3pF@50V
工作温度-55℃~+150℃

AO4892 产品概述

一、基本信息

AO4892是一款高性能的双N通道场效应管(MOSFET),其设计满足了广泛电子应用的需求。采用SOIC-8封装,AO4892不仅具备小型化和集成化的优势,还具备优良的热特性和电气性能,适合在空间受限的条件下使用。

主要规格:

  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 连续漏极电流(Id)@ 25°C: 4A
  • 栅源极阈值电压:2.8V @ 250μA
  • 漏源导通电阻:68mΩ @ 4A, 10V
  • 最大功率耗散(Ta=25°C):2W
  • 封装类型:SOIC-8

二、性能特点

  1. 高效率与低功耗 AO4892的最大漏源电压为100V,连续漏极电流可达4A,同时其导通电阻仅为68mΩ。相对较低的导通电阻意味着在工作过程中功耗显著降低,提高了整体电路的效率,特别适用于对能效要求较高的应用场景。

  2. 良好的热性能 最大功率耗散为2W,确保在高负载条件下能够有效散热,保持稳定的工作状态。这一特性特别适用于那些需要长时间、稳定工作的大功率应用。

  3. 宽阈值电压范围 AO4892的栅源极阈值电压为2.8V,意味着其能够以较低的栅极驱动电压实现开关状态,这对于低电压工作环境的兼容性极佳,适合与各种逻辑电平兼容的电源系统。

  4. 集成化设计 采用SOIC-8封装,使得AO4892适合在空间受到限制的电路设计中使用。该封装不仅便于布线,且有助于提升整体电路的稳定性和可靠性,满足现代电子产品对小型化、集成化的不断追求。

三、应用领域

AO4892由于其出色的电气性能,广泛应用于以下领域:

  1. 电源管理 AO4892可用于开关电源设计中,作为高效的开关元件,提高电源效率,降低能耗。

  2. 直流电机控制 其高电流能力与低导通电阻使得AO4892在电机驱动控制中具有优越的性能,能够有效驱动直流电机,减少功耗。

  3. LED驱动 AO4892也可用于LED驱动电路中,通过其高效的开关和导通性能,有助于提供所需的电流,确保LED的亮度稳定。

  4. 高频应用 由于AO4892的快速开关特性,它在高频应用中表现出色,适合高频变换器和调制解调器等设备。

四、总结

AO4892是一款设计先进、性能优越的双N通道MOSFET,凭借其高效率、低功耗及出色的热管理能力,成为多种电子应用的理想选择。它广泛适用于电源管理、直流电机驱动、LED照明等领域,能够满足不断增长的市场需求。无论是在电子工程师的设计过程中,还是在实际应用中,AO4892都展现出了极高的可靠性和适应性,是您不可或缺的电子元器件之一。