型号:

AO4818

品牌:AOS
封装:SOIC-8
批次:-
包装:编带
重量:0.205g
其他:
AO4818 产品实物图片
AO4818 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2W 30V 8A 2个N沟道 SOIC-8
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产品参数
属性参数值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)8A
导通电阻(RDS(on))19mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))2.4V@250uA
栅极电荷量(Qg)18nC@10V
输入电容(Ciss)888pF
反向传输电容(Crss)115pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)145pF

AO4818 产品概述

一、基本信息

AO4818是一款由AOS(Alpha & Omega Semiconductor)生产的高性能N沟道场效应管(MOSFET),该器件专为各种高频开关、电源管理以及电机驱动等应用而设计。AO4818的技术规格如下:

  • 功率额定值:2W
  • 最大电压:30V
  • 最大电流:8A
  • 封装类型:SOIC-8

通过这些特点,可以看出AO4818是一款非常适合于低电压、高电流应用的MOSFET,尤其是在要求小尺寸与高效能相结合的场合。

二、结构与封装

AO4818采用SOP-8(Small Outline Package)封装,这种封装形式不仅提供了良好的热管理能力,还有效缩小了电路板的占地面积。SOP-8封装的占用面积相对较小,非常适合用于空间有限的电子产品中。此外,AO4818的设计考虑了电气性能的优化,确保其在高频切换操作中的效率与稳定性。

三、电气特性

AO4818具有多项优异的电气特性。其最低的栅源电压(VGS)阈值使得它能够在较低的控制电压下开启,适合用于5V和10V的逻辑电平驱动应用。MOSFET的低导通电阻(RDS(on))确保了在负载工作时耗能最小,帮助提高整机的能效。

具体来说:

  • 导通电阻(RDS(on)): 在VGS = 10V时,RDS(on)的值通常为约30mΩ,这使得AO4818在大电流操作时的功耗大幅降低。
  • 开关速度: AO4818具备较小的输入电容,能够实现快速开关,适合用于开关电源、高频转换器等高效能应用。

四、应用领域

AO4818由于其出色的电气性能,与灵活的应用场合相匹配,广泛适用于以下领域:

  1. 开关电源(SMPS): AO4818可作为开关管使用,提升电源转换效率,并减少系统发热。
  2. 电机驱动: 适用于直流电机和步进电机驱动,能够处理较大的电流和快速开关需求。
  3. LED驱动: 在LED照明应用中,可以通过其高效的导通特性来提高LED的驱动稳定性与亮度。
  4. DC-DC转换器: AO4818适合用作Buck、Boost电路中的开关器件,提高转换效率,尤其适合用于电池供电设备。

五、优势与竞争比较

与市场上同类N沟道MOSFET相比,AO4818凭借其优异的导通电阻及快速开关特性,能够为设计工程师提供更高的设计灵活性和更好的系统效率。此外,AOS的强大研发和质量保证使得AO4818在长期应用中的可靠性得到了保证,降低了故障率。

综上所述,AO4818是一款具有出色性能与广泛应用前景的MOSFET解决方案,适合当前多样化的电子产品需求。无论是在消费电子、工业控制还是绿色能源系统中,AO4818都可以成为设计者的理想选择。通过选择AO4818,设计者不仅能够节省空间和成本,还可以大幅提升产品的性能与可运行性。