型号:

AO3487

品牌:AOS
封装:SOT-23
批次:-
包装:编带
重量:0.043g
其他:
AO3487 产品实物图片
AO3487 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 4.3A 1个P沟道 SOT-23
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3000+
0.339
产品参数
属性参数值
类型1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)4.3A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)48mΩ@10V,4.3A
功率(Pd)1.4W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.4V@250uA

AO3487 产品概述

一、基本信息

AO3487是一款高性能P沟道场效应晶体管(MOSFET),其具有卓越的电气特性和可靠性,广泛应用于低功耗开关和线性电源设计。这款MOSFET的封装采用SOT-23,便于在紧凑型电路板上实现高密度布线,特别适合对空间要求严格的电子产品。

二、主要参数

  1. 漏源电压(Vdss): 30V

    • 该参数指MOSFET能够承受的最大漏源电压。在30V的范围内,AO3487能够确保稳定的工作性能,并防止击穿。
  2. 连续漏极电流(Id): 4.3A(在25°C时)

    • 此参数表示在25°C环境温度下,AO3487可以持续传导4.3A的电流,足以满足多数中低功率应用的需求。
  3. 栅源极阈值电压: 2.4V @ 250μA

    • 该参数反映了导通MOSFET所需的最小栅源电压。当栅源电压达到2.4V时,该器件能够以250μA的电流进入导通状态,显示出其在低电压驱动下的良好表现。
  4. 漏源导通电阻: 48mΩ @ 4.3A, 10V

    • 此项参数表示在4.3A电流流过时的漏源导通电阻为48毫欧,这意味着能量损耗极小,从而提高了整体电路的效率,并减少了发热量。
  5. 最大功率耗散: 1.4W(Ta=25°C)

    • AO3487可以在25°C时承受最高1.4W的功率耗散,适合要求较高功率处理的应用场合,同时也保证了较长的使用寿命和可靠性。

三、应用场景

AO3487由于其优越的电气特性,主要应用于:

  1. 电源管理: 在开关电源、线性电源和DC-DC转换器中,AO3487由于其低导通电阻和高功率处理能力,可以作为高效的开关元件,为电池供电设备提供更好的电源管理。

  2. 电机驱动: 该MOSFET具备适合中等功率应用的特征,非常适合用于直流电机和步进电机的驱动,确保高效控制和可靠性。

  3. 负载开关: 在电子设备中,AO3487可以用作负载开关,以实现高效、电力损耗低的开关控制,适合用于各种家电和消费电子产品。

  4. 照明控制: 在LED灯驱动等照明应用中,AO3487可实现高效的开/关控制,延长灯具寿命并减少不必要的能量损耗。

四、特性总结

AO3487是一款集高效率、低功耗和可靠性于一体的P沟道MOSFET,凭借其出色的性能参数,能够满足现代电子产品的多样化应用需求。其小巧的SOT-23封装设计,使其不仅适合在空间有限的应用中使用,同时也提供了更大的设计灵活性。在电源管理、电机驱动以及负载开关等领域,AO3487将为开发人员提供一种可靠的解决方案,帮助他们在降低功耗、提升效率的同时,缩短产品设计周期。

结论

总体而言,AO3487是一款值得信赖的P沟道MOSFET,凭借其卓越的电气性能和多样化的应用场景,是现代电子设计中不可或缺的一部分。无论是在电源管理、LED照明还是电机控制中,AO3487都能为设计师提供极高的性能和可靠性,是各类电子产品开发的理想选择。