1N5817-T

产品概述：1N5817-T 肖特基二极管

一、基本信息

1N5817-T 是一种高性能的肖特基二极管，具有较好的电气特性和可靠性，广泛应用于各类电子设备中。这款二极管的主要参数包括：直流反向耐压（Vr）最大值为20V，平均整流电流（Io）为1A，正向压降（Vf）为450mV（在1A的工作条件下），以及快速恢复特性，使其适合用于高频和高效的整流场合。

二、技术参数

• 直流反向耐压（Vr）: 20V
• 平均整流电流（Io）: 1A
• 正向压降（Vf）: 450mV @ 1A
• 反向泄漏电流: 1mA @ 20V
• 恢复速度: 快速恢复 ≤ 500ns 转换速率 > 200mA
• 电容: 110pF @ 4V，1MHz
• 封装类型: DO-41（轴向通孔封装）
• 工作温度范围: -65°C ~ 125°C

三、应用场景

1N5817-T 二极管因其低正向压降和高效整流能力，适用于各类电源管理、电池充电、逆变器及开关电源等领域。其指标非常适合以下具体应用：

• 电源模块: 在电源变换过程中，1N5817-T 可作为整流二极管使用，有效降低能量损失，提高整体效率。
• 逆变器: 采用该二极管可以增强逆变器的性能，尤其是在需要高频开关操作的情况下，快速恢复特性可大大提高周期性的开关效率。
• 充电电路: 在需要快速响应的电池充电电路中，1N5817-T 的低正向压降能够保证快速充电并减少热损耗。

四、特性优势

1. 低正向压降: 相比于常规二极管，1N5817-T 由于其肖特基特性，能够在整流过程中提供更低的正向压降，这对降低发热和提高系统效率至关重要。

2. 快速恢复时间: 该二极管具备快速恢复能力，特别适合于高频率应用，如开关电源及脉冲电路。这使得其在动态负载条件下表现出色，减少开关损耗。

3. 优秀的热性能: 1N5817-T 设计的工作温度范围为 -65°C 到 125°C，确保在极端环境下仍能稳定工作，适合各种工业和消费电子产品的应用。

4. 可靠的反向耐压: 最大20V 的反向耐压使得该二极管在中低压应用中可靠，适用于汽车电子、计算机外围设备等低电压环境。

五、封装与安装

1N5817-T 采用 DO-41 轴向通孔封装，便于在电路板上的安装和焊接。这种封装形式不仅提高了其散热效果，也保证了其在电路中占据小空间的同时，能够承受较高的功率需求。

六、总结

1N5817-T 是一种高性能肖特基二极管，其具有的低正向压降、快速恢复特性和可靠性使其在电子应用中极具优势。无论是在电源管理、充电电路，还是逆变器等高频、高效的应用场景中，1N5817-T 都能提供卓越的性能表现，是设计工程师和电子产品制造商的理想选择。