型号:

AOT412

品牌:AOS
封装:TO220
批次:-
包装:管装
重量:-
其他:
AOT412 产品实物图片
AOT412 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 150W 100V 60A 1个N沟道 TO-220
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产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)15.8mΩ@10V,20A
功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3.8V@250uA

AOT412 产品概述

概述

AOT412 是一种高性能的 N 沟道场效应管(MOSFET),适用于高功率应用,具备卓越的电流处理能力和低导通电阻的优势。该产品主要用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等领域,为电子设备提供高效能的电源管理解决方案。其关键电气参数使其能够在严苛的工作环境下保持稳定的性能。

主要参数

  • 漏源电压(Vdss):100V
  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时):60A(基于冷却条件)
  • 漏源导通电阻(Rds(on)):15.8mΩ @ 20A, 10V
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)):3.8V @ 250μA
  • 最大功率耗散(Ta=25°C):150W
  • 封装类型:TO-220
  • 品牌:AOS

特性

  1. 高效能:AOT412 的漏源导通电阻为15.8mΩ,保证在传输电流时丧失的功率最小化,提高整体能效。这一特性让它在高电流应用中表现出色,减少了发热,提高了可靠性。

  2. 卓越的热性能:其最大功率耗散能力为150W,适合于较高的功率应用。使用 TO-220 封装有助于有效散热,确保在高温工作环境下仍可以稳定运行。

  3. 适度的阈值电压:栅源极阈值电压为3.8V,使得该 MOSFET 能够在较低的驱动电压下开关,为设计提供了灵活性并简化了驱动电路。

  4. 宽广的应用范围:AOT412 的设计使其在多种电源管理及负载驱动应用中均能找到合适的用武之地。这包括了电源模块、马达控制器、电力转换设备等众多场景。

应用场景

  • 开关电源:在开关电源设计中,AOT412 可用作主开关元件,具备高效率和稳定性,保证电源转换效率。

  • DC-DC 转换器:在不同电压间的转换中,MOSFET 的快速开关特性和低损耗表现确保了设备的长效和高效运行。

  • 电机驱动:在电动机控制系统中,AOT412 的高电流处理能力与热稳定性可用于驱动各种类型电机,增强电机启动扭矩并提高控制精度。

  • 电力管理系统:在更多电源相关的控制和转换场景中,它都能够得到应用,并且随着科技的发展,它在可再生能源系统、智能电网中的使用也变得越来越普遍。

结论

总的来说,AOT412 作为一款高效能的 N 沟道 MOSFET,无论是在技术参数方面还是在应用领域,均展现出强大的性能和广泛的适用性。无论是对高功率电子设备的推动,还是对电能的高效管理,AOT412 都是一个理想的选择,为设计工程师提供了可靠的解决方案。在追求性能与效率的现代电子项目中,AOT412 显然是提高设备性能的关键组件。