型号:

AOD2922

品牌:AOS
封装:TO-252
批次:-
包装:编带
重量:0.483g
其他:
AOD2922 产品实物图片
AOD2922 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 5W;17W 100V 3.5A;7A 1个N沟道 TO-252-2(DPAK)
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梯度内地(含税)
1+
1.84
100+
1.41
1250+
1.23
2500+
1.16
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)7A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)176mΩ@4.5V,3A
功率(Pd)17W
阈值电压(Vgs(th)@Id)2.7V@5A
栅极电荷(Qg@Vgs)10nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)310pF@50V
反向传输电容(Crss@Vds)8pF@50V
工作温度-55℃~+175℃

AOD2922 产品概述

产品概述
AOD2922是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET),采用TO-252封装,专为要求较高的电源管理和开关应用而设计。其漏源电压(Vdss)高达100V,使其适用于多种高电压电路,同时具备优秀的连续漏极电流(Id)性能,额定值为3.5A,使得其在各种应用场合中表现出色。此外,该MOSFET的设计满足了现代电子产品对效率和功率密度的严格要求。

主要参数

  • 漏源电压(Vdss): 100V
    AOD2922能够承受高达100V的漏源电压,这一特性使得它在高压电源转换器、驱动电路以及各种高电压应用中得以广泛使用。

  • 连续漏极电流(Id): 3.5A (在25°C时)
    AOD2922在常温下的连续漏极电流达到3.5A,足以支持低到中功率的负载,确保设备长期稳定工作并降低发热。

  • 栅源极阈值电压: 2.7V @ 250μA
    该MOSFET显示出较低的栅源极阈值电压,这允许在较低电压下开启,有助于降低驱动损耗,适用于PWM控制等高频操作场合。

  • 漏源导通电阻: 140mΩ @ 5A, 10V
    AOD2922在工作时表现出较低的导通电阻,这使得在导通时通过的电流损耗减至最低,从而提高了整体效能,尤其适合高频开关电源和电机驱动等应用。

  • 最大功率耗散: 5W (Ta=25°C)
    AOD2922具有较高的功率处理能力,其最大功率耗散在常温下为5W,意味着在高功率应用时能够以相对较小的体积实现高效散热。

应用领域
AOD2922广泛应用于多个领域,包括但不限于:

  1. 开关电源
    由于其高效的导通性能和较低的开关损耗,AOD2922非常适合用于各种开关电源的输出阶段。

  2. 电机驱动
    在电机驱动电路中,AOD2922的高压耐受能力和低导通电阻使其成为理想选择,能够提高电机控制系统的响应速度和效率。

  3. 高频PWM控制
    优秀的切换特性使得该MOSFET可以在高频脉宽调制(PWM)控制应用中实现更佳的性能,适合于LED驱动、交流电机调速等。

  4. DC-DC转换器
    由于其在不同负载条件下的稳定性及出色的热管理特性,AOD2922可被用于降压或升压DC-DC转换器中,提升转换效率并降低系统热量。

总结
总之,AOD2922凭借其卓越的电气性能及多功能应用能力,是现代电子设计中不可或缺的高效N沟道MOSFET。无论是在消费电子、工业控制,还是在电源管理等方面,AOD2922都能够提供可靠的解决方案,满足设计工程师在推出新产品时对性能和效率的高期望。随着电子技术的不断进步,对更高效、更小型化元器件的需求将日益增长,AOD2922定将发挥其重要的作用。