型号:

AO6804A

品牌:AOS
封装:TSOP-6
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
AO6804A 产品实物图片
AO6804A 一小时发货
描述:MOSFET-阵列-2-N-沟道(双)共漏-20V-5A-1.3W-表面贴装型-6-TSOP
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
1.07
3000+
1.02
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)28mΩ@4.5V,5A
功率(Pd)1.3W
阈值电压(Vgs(th)@Id)700mV@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)7.5nC@4.5V
输入电容(Ciss@Vds)225pF@10V
反向传输电容(Crss@Vds)18pF@10V
工作温度-55℃~+150℃

AO6804A 产品概述

概述

AO6804A 是一种高性能的N沟道MOSFET阵列,采用TSOP-6封装。该产品由AOS公司设计制造,专为高效功率管理和开关应用而开发。其设计目标是提供优良的导通性能和低的导通损耗,使其在多种电子设备中得到广泛应用。

产品规格

  • 封装类型: TSOP-6,适合表面贴装技术(SMT)。
  • FET类型: 双N沟道MOSFET,具有共漏配置。
  • 漏源极电压(Vdss): 设定为20V,这使得该器件可以安全承受高达20V的漏源极电压,适用于多种中低电压驱动场合。
  • 连续漏电流(Id): 最大可达到5A,足以满足多数应用的需求。
  • 功率耗散(Pd): 达到1.3W,优化了散热性能,延长了器件的使用寿命。

关键特性

  1. 高效能与低导通电阻: AO6804A 具备低 Rds(on) 的特性,确保在开关状态下具有极低的导通损耗,优化了电源效率。

  2. 双通道设计: 该MOSFET阵列含有两个N沟道MOSFET,用户可根据需求实现单芯片的空间节约,简化PCB设计,同时提高电路的可靠性。

  3. 广泛的应用范围: 由于具备高电流和电压承载能力,AO6804A被广泛应用于DC-DC转换器、开关电源、LED驱动、马达控制等领域。

  4. 可靠的工作环境: AO6804A具备良好的热稳定性,适应各种工作环境,确保在高温或高湿度的情况下也能保持稳定的性能。

应用场景

AO6804A适合用于多种电力管理应用,如:

  • 电源管理: 在电源转换和分配过程中,凭借其高效能和热管理能力,能够有效提升电源效率,减少发热,从而提高整机的稳定性。

  • LED驱动: 在LED灯驱动电路中,AO6804A可承受高峰电流和反向电压,与其他组件协作,实现高效且稳定的灯光控制。

  • 智能家居产品: 在智能家居产品中,例如智能插座、用电设备监控系统等高科技产品中,AO6804A的紧凑设计和高效能帮助实现更智能的电源管理方案。

  • 工业自动化: AO6804A被广泛应用于工控产品,用于电机控制、传感器电源等领域,保证高效的工作性能。

总结

AO6804A是一种理想的N沟道MOSFET阵列,适合广泛的工业和消费电子应用,凭借其高效的电源管理能力和耐用的设计而备受用户青睐。凭借其卓越的电气特性和可靠的性能,这款产品为设计师和工程师提供了优化设计的完美解决方案,满足现代电子产品对小型化和高效能的迫切需求。