型号:

AON6354

品牌:AOS
封装:DFN5x6-8L EP1
批次:2年内
包装:编带
重量:0.209g
其他:
AON6354 产品实物图片
AON6354 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 36W 30V 83A 1个N沟道 DFN-8-EP(6.1x5.2)
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最小包:3000
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.844
3000+
0.8
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)83A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)3.3mΩ@10V,83A
功率(Pd)5.6W
阈值电压(Vgs(th)@Id)1.4V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)35nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)1.33nF@15V
反向传输电容(Crss@Vds)55pF@15V
工作温度-55℃~+150℃

AON6354 产品概述

一、产品简介

AON6354是一款高性能的N沟道场效应管(MOSFET),其主要应用于电源管理、开关电源、DC-DC转换器及电机控制等领域。由于其优越的电气特性和较高的功集成度,AON6354广泛应用于各种消费电子、工业设备及通信系统中。

二、关键参数

  1. 漏源电压(Vdss):AON6354的漏源电压为30V,确保在多种应用场景中能够可靠运行。在电源管理和负载开关中,这一电压水平适合大多数低压电源设计。

  2. 连续漏极电流(Id):其在工作温度25°C时的连续漏极电流达到83A(Tc),这使得AON6354可以处理较大的电流负载,适用于高效能和高功率应用。

  3. 栅源极阈值电压(Vgs(th)):栅源极阈值电压为2.2V(@ 250μA),相对较低的阈值电压使其在驱动电路中更加灵活,能够在较低的控制电压下快速开启和关闭,从而提高开关效率。

  4. 漏源导通电阻(RDS(on)):在20A和10V的条件下,漏源导通电阻仅为3.3mΩ。低导通电阻大大降低了功耗和热损耗,对于提高电路的整体效率起到了关键作用。

  5. 最大功率耗散:在环境温度25°C时,AON6354的最大功率耗散达36W(Tc),使其在高负载条件下也能保持良好的热稳定性和可靠性。

  6. 封装:AON6354采用DFN5x6-8L EP1封装,尺寸为6.1x5.2mm,专为高效散热设计。其紧凑的封装设计不仅节省了电路板空间,还提供了较好的散热性能,适合高密度电子设备。

三、应用领域

AON6354因其优越的性能特点,适合在多个领域进行应用,包括但不限于:

  • 电源管理:如DC-DC转换器和适配器,为各种电子设备提供可靠的电源。
  • 开关电源:在电压转换和调节中起到关键作用。
  • 电机控制:广泛用于无刷电机驱动和其它自动控制系统。
  • 消费电子:如手机、平板和个人电脑等,从而提高能效和续航能力。
  • 工业设备:用于电动工具、工业机器人等高负载应用中,确保稳定运行。

四、总结

AON6354作为一款高效能的N沟道场效应管,凭借其在电压、电流和功率等关键参数上的优越表现,为电子设计工程师提供了更多的选择空间。在选择电子元器件时,AON6354无疑是需要重点考虑的选项之一。在电源管理、开关电源以及电动机控制等领域,其工程应用表现都将为产品带来极大的附加值。

总之,AON6354结合了高效能、低功耗和良好的散热性能,适合于各种现代电子设备的设计需求,无论在电气性能还是在热管理上都表现出色,值得在相关产品中广泛推广和使用。