型号:

AOD5N50

品牌:AOS
封装:TO252
批次:-
包装:编带
重量:-
其他:
AOD5N50 产品实物图片
AOD5N50 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 104W 500V 5A 1个N沟道 TO-252(DPAK)
库存数量
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(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.37
2500+
0.339
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)1.6Ω@10V,2.5A
功率(Pd)104W
阈值电压(Vgs(th)@Id)4.5V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)14nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)670pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)4.5pF@25V
工作温度-50℃~+150℃@(Tj)

AOD5N50 产品概述

简介

AOD5N50 是一款高性能的N沟道MOSFET(场效应管),其主要特点包括高电压承受能力、低导通电阻、高功率处理能力以及宽广的工作温度范围。这款MOSFET适用于多种电子应用,特别是在电源管理、电机控制和开关电路等领域。这些特性使得 AOD5N50 成为设计师在选择高效开关元件时的理想选择。

技术参数

AOD5N50 拥有多个关键的技术参数,这些参数使其在各种应用中表现出色:

  • 安装类型: 表面贴装型 (SMD),极大地降低了组装空间的需求,提高了组件的布局灵活性。
  • 最大导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 驱动电压下,最大导通电阻为 1.6 欧姆,电流为 2.5A。这一特性确保了在高电流操作时的热效率,降低了功耗和发热量。
  • 漏极电流 (Id): 在 25°C 条件下,AOD5N50 的连续漏极电流最高可达 5A,满足大量应用需求。
  • 漏源电压 (Vdss): 能承受高达 500V 的漏源电压,适合高压应用。
  • 栅极驱动电压 (Vgs): 建议工作电压为 10V,栅极电压范围可达 ±30V,提供了良好的灵活性和稳定性。
  • 输入电容 (Ciss): 高达 670pF @ 25V 的输入电容使得开关速度更快,提高了开关频率的效率。
  • 栅极电荷 (Qg): 在 10V 驱动电压下,最大栅极电荷为 14nC,较小的栅极电荷有利于提升开关速度,降低驱动功耗。
  • 工作温度范围: AOD5N50 可以在 -50°C 到 150°C 的宽温范围内工作,增强了其在恶劣环境下的可靠性。
  • 功率耗散: 最大功率耗散为 104W,使其能够在高功率应用中稳定运行。

应用领域

由于 AOD5N50 的优越性能,它可以广泛应用于以下几个领域:

  1. 电源管理: 可用于开关电源 (SMPS)、DC-DC 转换器等,提供高效率和低功耗的解决方案。
  2. 电机控制: 适合于驱动直流电机和步进电机,提供平稳的控制和反应速度。
  3. 汽车电子: 在汽车电气系统中用作开关和控制元件,适应汽车环境的高温和高压条件。
  4. 通信设备: 由于其高频特性,适合用于无线通信和数据传输设备中。
  5. 消费电子: 包括电池管理系统、便携式设备电源、LED 驱动等,具有轻便、低功耗的优势。

总结

AOD5N50 通过其出色的电气特性、宽广的工作范围和可靠性,成为现代电子设计中的一款不可或缺的N沟道MOSFET。无论是在高压、高温还是高负载条件下,AOD5N50 都能稳定运行,满足高效能和高可靠性的设计需求。设计师和工程师在选择适合的电子元件时,AOD5N50 是一个值得推荐的优良选择,能够有效地提升产品的整体性能和市场竞争力。