型号:

AOD450

品牌:AOS
封装:TO252
批次:-
包装:编带
重量:0.484g
其他:
AOD450 产品实物图片
AOD450 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 2.1W;25W 200V 3.8A 1个N沟道 TO-252
库存数量
库存:
0
(起订量: 1, 增量: 1
最小包:2500
商品单价
梯度内地(含税)
1+
0.869
2500+
0.82
产品参数
属性参数值
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)3.8A
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)700mΩ@10V,3.8A
功率(Pd)25W
阈值电压(Vgs(th)@Id)3V@250uA
栅极电荷(Qg@Vgs)3.82nC@10V
输入电容(Ciss@Vds)260pF@25V
反向传输电容(Crss@Vds)15pF@25V
工作温度-55℃~+175℃

AOD450产品概述

引言

AOD450 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET,广泛适用于各种电子应用,包括开关电源、直流电机驱动、负载开关及高频开关转换器。其出色的电气性能使其能够满足苛刻的电力电子产品需求,并提供稳定可靠的解决方案。

基本参数

AOD450 的基础参数提供了其在实际应用中的重要性能指标。该器件的连续漏极电流(Id)在25°C时为 3.8A(Tc),这使其适用于中等功率的应用。此外,漏源电压(Vdss)达到了 200V,能够应对较高电压环境,适合高压电路设计。

电气特性

MOSFET 的栅源极阈值电压为 6V @ 250µA,这一参数决定了驱动该器件所需的最低信号电压。在设计电路时,确保能够提供足够的栅驱电压,以使 MOSFET 完全导通,从而降低功耗,提高工作效率。

漏源导通电阻为 700mΩ @ 3.8A, 10V,这一低导通电阻特性不仅降低了在导通状态下的功耗,也减少了在高负载条件下可能产生的热量,从而有助于提高器件的可靠性和寿命。

散热能力

AOD450 的最大功率耗散(Ta=25°C)为 2.1W,这意味着在持续工作过程中,设计必须考虑到器件的散热,确保 MOSFET 在安全的温度范围内运行。良好的热管理策略是保障器件性能的重要因素。

封装形式

AOD450 采用 TO-252 封装,这种封装形式不仅便于 PCB 制造和组装,还支持较好的散热性能。TO-252 的较大封装体积有助于增强散热,因此在设计应用时,可以保证 MOSFET 的稳定工作。

应用场景

由于其卓越的电气性能和良好的热管理能力,AOD450 被广泛应用于多个领域。典型应用场景包括:

  1. 开关电源:在 DC-DC 转换器和 AC-DC 变换器中,AOD450 的高电压和电流能力能够有效地完成电源管理。

  2. 直流电机驱动:AOD450 可用于控制直流电机的转速和方向,提供高效的电流切换。

  3. 负载开关:在负载开关应用中,AOD450 的高开关频率响应和低导通阻抗使其成为理想选择,能够提高整个系统的能效。

  4. 高频开关转换器:该MOSFET 适合用于高频率的应用场合,能够有效降低开关损耗。

结论

总体而言,AOD450 是一款功能强大且高效的 N 沟道 MOSFET,凭借其出色的电气性能、卓越的热管理能力及 TO-252 封装,成为了多种电力电子应用的理想选择。凭借AOD450在开关电源、直流电机驱动及负载开关等领域的广泛适应性,保证了其在现代电子产品中的重要地位。选择 AOD450,您将能够实现高效、稳定的电源解决方案,帮助提升您的产品竞争力。