型号:

2N7002-TP

品牌:MCC(美微科)
封装:SOT-23
批次:22+
包装:编带
重量:-
其他:
2N7002-TP 产品实物图片
2N7002-TP 一小时发货
描述:场效应管(MOSFET) 200mW 60V 115mA 1个N沟道 SOT-23
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产品参数
属性参数值
安装类型表面贴装型
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7.5 欧姆 @ 500mA,10V
技术MOSFET(金属氧化物)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)5V,10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)115mA(Ta)
FET 类型N 通道
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)50pF @ 25V
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
漏源电压(Vdss)60V
功率耗散(最大值)200mW(Ta)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
供应商器件封装SOT-23
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

产品概述:2N7002-TP N通道 MOSFET

一、产品简介

2N7002-TP是一款高性能的N通道MOSFET,主要用于各种电子应用中,如开关电源、信号放大、功率控制和小型负载驱动等。该元件的设计目标是实现高效能和小型化,特别适合表面贴装(SMD)应用。其一致的电气性能和宽广的工作温度范围,使其成为众多电子设备中不可或缺的组件。

二、主要参数与性能

  1. 安装类型:2N7002-TP采用表面贴装型(SMT)封装,符合现代电子设备对空间和集成度的要求,使其能够在紧凑的板级设计中轻松安装和焊接。

  2. 额定电流和电压

    • 连续漏极电流(Id):在25°C环境温度下,最大额定电流为115mA,确保在低功耗应用中可提供可靠的操作。
    • 漏源电压(Vdss):该器件可承受最高60V的漏极源电压,使其能够在多种电源应用中使用。
  3. 导通电阻(Rds(on)):在10V的Vgs条件下,器件在500mA的电流下导通电阻最大值为7.5Ω,表明在导通状态下器件表现出较低的能耗和较高的效率。

  4. 阈值电压(Vgs(th)):在250µA的条件下,阈值电压的最大值为2.5V,方便设计师在低电压驱动下直接控制MOSFET的开关状态。

  5. 输入电容(Ciss):在25V的偏置下,输入电容在最大值为50pF,这一相对较低的电容值有助于提升开关速度,降低开关损耗。

  6. 功率耗散:最大功率耗散为200mW,确保在实际应用中元件的温升保持在安全范围内。

  7. 工作温度:该产品的工作温度范围为-55°C至150°C,使其能够在严苛环境中运行,如汽车电子、工业控制等。

三、封装与尺寸

2N7002-TP采用流行的SOT-23封装,该封装形式不仅占用空间小,而且易于自动化焊接。SOT-23的外形和引脚配置使其适用于多种PCB设计,极大地方便了设计工程师在开发阶段的应用。

四、应用领域

由于其优秀的电气特性和紧凑的尺寸,2N7002-TP在多个领域具有广泛的应用:

  • 消费电子:如智能手机、平板电脑等低功耗便携设备中的开关控制。
  • 工业控制:用于电机驱动和其他负载控制应用。
  • 汽车电子:在汽车的灯光控制系统中,用于实现高效能的开关操作。
  • 电源管理:用于DC-DC转换器、线性稳压器等电源设备中,提升能效。

五、总结

2N7002-TP是一款高效能、广泛适用的N通道MOSFET,具有合适的电压和电流处理能力,低导通电阻和优秀的热稳定性。其独特的设计适合于现代电子产品的需求,无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子应用中,都能提供可靠的性能保障。由于其良好的品质和可靠性,2N7002-TP可被视为设计工程师在选择MOSFET时的优质选项。